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|---|---|
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| 1500+ | CHF 0.171 |
Prix pour :Pièce (fournie en bande découpée)
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Informations produit
FabricantVISHAY
Réf. FabricantSI2366DS-T1-GE3
Code Commande2056680RL
Fiche technique
Type de canalCanal N
Tension Drain-Source Vds30V
Courant de drain Id5.8A
Résistance Drain-Source à l'état-ON0.036ohm
Type de boîtier de transistorSOT-23
Montage transistorMontage en surface
Tension de test Rds(on)10V
Tension de seuil Vgs Max1.2V
Dissipation de puissance2.1W
Nbre de broches3Broche(s)
Température d'utilisation Max.150°C
Gamme de produit-
Qualification-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Aperçu du produit
Le SI2366DS-T1-GE3 est un MOSFET de puissance, canal N, TrenchFET® 30 VDS adapté aux applications de commutation de charge, de commutation haute fréquence et de convertisseur DC-DC.
- Testé à 100% Rg
- Température d'utilisation -55 à 150°C
- Sans halogène
Spécifications techniques
Type de canal
Canal N
Courant de drain Id
5.8A
Type de boîtier de transistor
SOT-23
Tension de test Rds(on)
10V
Dissipation de puissance
2.1W
Température d'utilisation Max.
150°C
Qualification
-
Tension Drain-Source Vds
30V
Résistance Drain-Source à l'état-ON
0.036ohm
Montage transistor
Montage en surface
Tension de seuil Vgs Max
1.2V
Nbre de broches
3Broche(s)
Gamme de produit
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Documents techniques (3)
Produits de remplacement pour SI2366DS-T1-GE3
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Législation et Questions environnementales
Pays d'origine :
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :Germany
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :Germany
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
N° de tarif :85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (21-Jan-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Poids (kg) :.000136
Traçabilité des produits