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| 500+ | CHF 0.145 |
| 1000+ | CHF 0.130 |
| 5000+ | CHF 0.113 |
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Informations produit
FabricantVISHAY
Réf. FabricantSI2318CDS-T1-GE3
Code Commande1838989
Fiche technique
Type de canalCanal N
Tension Drain-Source Vds40V
Courant de drain Id3.9A
Résistance Drain-Source à l'état-ON0.042ohm
Type de boîtier de transistorTO-236
Montage transistorMontage en surface
Tension de test Rds(on)10V
Tension de seuil Vgs Max3V
Dissipation de puissance750mW
Nbre de broches3Broche(s)
Température d'utilisation Max.150°C
Gamme de produit-
Qualification-
MSL-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Aperçu du produit
- MOSFET de puissance TrenchFET® canal N 40V (D-S)
- Testé à 100% Rg
- Utilisé dans les convertisseurs DC/DC, interrupteur de charge
Spécifications techniques
Type de canal
Canal N
Courant de drain Id
3.9A
Type de boîtier de transistor
TO-236
Tension de test Rds(on)
10V
Dissipation de puissance
750mW
Température d'utilisation Max.
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Tension Drain-Source Vds
40V
Résistance Drain-Source à l'état-ON
0.042ohm
Montage transistor
Montage en surface
Tension de seuil Vgs Max
3V
Nbre de broches
3Broche(s)
Gamme de produit
-
MSL
-
Documents techniques (2)
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Législation et Questions environnementales
Pays d'origine :
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :United States
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :United States
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
N° de tarif :85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (21-Jan-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Poids (kg) :.001
Traçabilité des produits