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SI2306BDS-T1-E3
MOSFET de puissance, Canal N, 30 V, 4 A, 0.047 ohm, TO-236, Montage en surface
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Disponible sur commande
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| Quantité | Prix (hors TVA) |
|---|---|
| 3000+ | CHF 0.201 |
| 9000+ | CHF 0.176 |
Prix pour :Pièce (fournie en bobine complète)
Minimum: 3000
Multiple: 3000
CHF 603.00 (sans TVA)
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Informations produit
FabricantVISHAY
Réf. FabricantSI2306BDS-T1-E3
Code Commande4320155
Fiche technique
Type de canalCanal N
Tension Drain-Source Vds30V
Courant de drain Id4A
Résistance Drain-Source à l'état-ON0.047ohm
Type de boîtier de transistorTO-236
Montage transistorMontage en surface
Tension de test Rds(on)10V
Tension de seuil Vgs Max3V
Dissipation de puissance1.25W
Nbre de broches3Broche(s)
Température d'utilisation Max.150°C
Gamme de produit-
Qualification-
MSL-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Spécifications techniques
Type de canal
Canal N
Courant de drain Id
4A
Type de boîtier de transistor
TO-236
Tension de test Rds(on)
10V
Dissipation de puissance
1.25W
Température d'utilisation Max.
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Tension Drain-Source Vds
30V
Résistance Drain-Source à l'état-ON
0.047ohm
Montage transistor
Montage en surface
Tension de seuil Vgs Max
3V
Nbre de broches
3Broche(s)
Gamme de produit
-
MSL
-
Documents techniques (2)
Produits de remplacement pour SI2306BDS-T1-E3
1 produit trouvé
Législation et Questions environnementales
Pays d'origine :
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :Germany
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :Germany
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
N° de tarif :85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (21-Jan-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Poids (kg) :.000044
Traçabilité des produits