Imprimer la page
Image non contractuelle – Proposée seulement à titre d'illustration. Veuillez vous reporter au descriptif technique.
611 En Stock
1’000 Vous pouvez réserver des unités dès maintenant
Livraison EXPRESS en 1-2 jours ouvrés
Commandez avant 17h00
Livraison standard GRATUITE
pour les commandes de CHF 0.00 et plus
Les délais de livraison exacts seront calculés lors du paiement
| Quantité | Prix (hors TVA) |
|---|---|
| 1+ | CHF 1.440 |
| 10+ | CHF 1.030 |
| 100+ | CHF 1.020 |
| 500+ | CHF 1.010 |
| 1000+ | CHF 1.000 |
| 5000+ | CHF 0.986 |
Prix pour :Pièce
Minimum: 1
Multiple: 1
CHF 1.44 (sans TVA)
Note à la ligne
Ajouté à votre confirmation de commande, à votre facture et à votre note d’expédition pour cette commande uniquement.
Ce numéro sera ajouté à la confirmation de commande, à la facture, au bon d’expédition, à l’e-mail de confirmation Web et à l’étiquette.
Informations produit
FabricantVISHAY
Réf. FabricantIRL640SPBF
Code Commande8651116
Fiche technique
Type de canalCanal N
Tension Drain-Source Vds200V
Courant de drain Id17A
Résistance Drain-Source à l'état-ON0.18ohm
Type de boîtier de transistorTO-263 (D2PAK)
Montage transistorMontage en surface
Tension de test Rds(on)5V
Tension de seuil Vgs Max2V
Dissipation de puissance125W
Nbre de broches3Broche(s)
Température d'utilisation Max.150°C
Gamme de produit-
Qualification-
SVHCLead (21-Jan-2025)
Aperçu du produit
The IRL640SPBF is a third generation N-channel enhancement-mode Power MOSFET comes with the best combination of fast switching, ruggedized device design and low ON-resistance. The package is surface-mount and capable of accommodating die size up to HEX-4. It provides the highest power capability and the lowest possible ON-resistance in any existing surface-mount package. This package is suitable for high current applications because of its low internal connection resistance and can dissipate up to 2W in a typical surface-mount application.
- Dynamic dV/dt rating
- Repetitive avalanche rated
- Logic-level gate drive
- RDS (ON) Specified at VGS = 4 and 5V
- Surface-mount
- Halogen-free
Spécifications techniques
Type de canal
Canal N
Courant de drain Id
17A
Type de boîtier de transistor
TO-263 (D2PAK)
Tension de test Rds(on)
5V
Dissipation de puissance
125W
Température d'utilisation Max.
150°C
Qualification
-
Tension Drain-Source Vds
200V
Résistance Drain-Source à l'état-ON
0.18ohm
Montage transistor
Montage en surface
Tension de seuil Vgs Max
2V
Nbre de broches
3Broche(s)
Gamme de produit
-
SVHC
Lead (21-Jan-2025)
Documents techniques (2)
Législation et Questions environnementales
Pays d'origine :
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :Israel
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :Israel
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
N° de tarif :85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme RoHS :Y-Ex
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :Lead (21-Jan-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Poids (kg) :.0018
Traçabilité des produits