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IRFBE20PBF
MOSFET de puissance, Canal N, 800 V, 1.8 A, 6.5 ohm, TO-220AB, Traversant
Image non contractuelle – Proposée seulement à titre d'illustration. Veuillez vous reporter au descriptif technique.
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| 500+ | CHF 0.661 |
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Informations produit
FabricantVISHAY
Réf. FabricantIRFBE20PBF
Code Commande1463254
Fiche technique
Type de canalCanal N
Tension Drain-Source Vds800V
Courant de drain Id1.8A
Résistance Drain-Source à l'état-ON6.5ohm
Type de boîtier de transistorTO-220AB
Montage transistorTraversant
Tension de test Rds(on)10V
Tension de seuil Vgs Max4V
Dissipation de puissance54W
Nbre de broches3Broche(s)
Température d'utilisation Max.150°C
Gamme de produit-
Qualification-
SVHCLead (21-Jan-2025)
Spécifications techniques
Type de canal
Canal N
Courant de drain Id
1.8A
Type de boîtier de transistor
TO-220AB
Tension de test Rds(on)
10V
Dissipation de puissance
54W
Température d'utilisation Max.
150°C
Qualification
-
Tension Drain-Source Vds
800V
Résistance Drain-Source à l'état-ON
6.5ohm
Montage transistor
Traversant
Tension de seuil Vgs Max
4V
Nbre de broches
3Broche(s)
Gamme de produit
-
SVHC
Lead (21-Jan-2025)
Documents techniques (2)
Législation et Questions environnementales
Pays d'origine :
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :Mexico
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :Mexico
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
N° de tarif :85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme RoHS :Y-Ex
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :Lead (21-Jan-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Poids (kg) :.002622
Traçabilité des produits