Imprimer la page
Image non contractuelle – Proposée seulement à titre d'illustration. Veuillez vous reporter au descriptif technique.
1’705 En Stock
500 Vous pouvez réserver des unités dès maintenant
Livraison EXPRESS en 1-2 jours ouvrés
Commandez avant 17h00
Livraison standard GRATUITE
pour les commandes de CHF 0.00 et plus
Les délais de livraison exacts seront calculés lors du paiement
Quantité | Prix (hors TVA) |
---|---|
1+ | CHF 1.550 |
10+ | CHF 1.110 |
100+ | CHF 1.040 |
500+ | CHF 1.010 |
1000+ | CHF 1.000 |
5000+ | CHF 0.976 |
Prix pour :Pièce
Minimum: 1
Multiple: 1
CHF 1.55 (sans TVA)
Ajouter Référence Interne / Note à la ligne
Ajouté à votre confirmation de commande, à votre facture et à votre note d’expédition pour cette commande uniquement.
Ce numéro sera ajouté à la confirmation de commande, à la facture, au bon d’expédition, à l’e-mail de confirmation Web et à l’étiquette.
Informations produit
FabricantVISHAY
Réf. FabricantIRF9540PBF
Code Commande8648638
Fiche technique
Type de canalCanal P
Tension Drain-Source Vds100V
Courant de drain Id19A
Résistance Drain-Source à l'état-ON0.2ohm
Type de boîtier de transistorTO-220AB
Montage transistorTraversant
Tension de test Rds(on)10V
Tension de seuil Vgs Max4V
Dissipation de puissance150W
Nbre de broches3Broche(s)
Température d'utilisation Max.175°C
Gamme de produit-
Qualification-
MSL-
SVHCLead (21-Jan-2025)
Aperçu du produit
L'IRF9540PBF est un MOSFET de puissance -100V à canal P qui offre au concepteur la meilleure combinaison de commutation rapide, de conception de dispositif robuste, de faible résistance à l'attaque et de rentabilité. La faible résistance thermique contribue à sa large acceptation dans toute l'industrie.
- dV/dt dynamique
- Avalanche répétitive
- Commutation rapide
- Facile à mettre en parallèle
- Nécessite un simple Driver
- Tension grille-source ±20V
- Résistance thermique 1°C/W jonction / boîtier
- Résistance thermique 62°C/W, jonction / air ambiant
Spécifications techniques
Type de canal
Canal P
Courant de drain Id
19A
Type de boîtier de transistor
TO-220AB
Tension de test Rds(on)
10V
Dissipation de puissance
150W
Température d'utilisation Max.
175°C
Qualification
-
SVHC
Lead (21-Jan-2025)
Tension Drain-Source Vds
100V
Résistance Drain-Source à l'état-ON
0.2ohm
Montage transistor
Traversant
Tension de seuil Vgs Max
4V
Nbre de broches
3Broche(s)
Gamme de produit
-
MSL
-
Documents techniques (2)
Produits de remplacement pour IRF9540PBF
2 produit(s) trouvé(s)
Législation et Questions environnementales
Pays d'origine :
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :Israel
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :Israel
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
N° de tarif :85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :Lead (21-Jan-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Poids (kg) :.002
Traçabilité des produits