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UF4SC120030K4S
MOSFET en carbure de silicium, Simple, Canal N, 53 A, 1.2 kV, 30 mohm, TO-247
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| Quantité | Prix (hors TVA) |
|---|---|
| 1+ | CHF 17.370 |
| 5+ | CHF 15.980 |
| 10+ | CHF 15.500 |
| 50+ | CHF 14.130 |
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Informations produit
FabricantONSEMI
Réf. FabricantUF4SC120030K4S
Code Commande4221998
Fiche technique
Configuration du module MOSFETSimple
Type de canalCanal N
Courant de drain Id53A
Tension Vds max..1.2kV
Résistance Drain-Source à l'état-ON0.03ohm
Type de boîtier de transistorTO-247
Nombre de broches4Broche(s)
Tension de test Rds(on)12V
Tension de seuil Vgs Max6V
Dissipation de puissance341W
Température de fonctionnement max..175°C
Gamme de produit-
SVHCNo SVHC (17-Jan-2023)
Spécifications techniques
Configuration du module MOSFET
Simple
Courant de drain Id
53A
Résistance Drain-Source à l'état-ON
0.03ohm
Nombre de broches
4Broche(s)
Tension de seuil Vgs Max
6V
Température de fonctionnement max..
175°C
SVHC
No SVHC (17-Jan-2023)
Type de canal
Canal N
Tension Vds max..
1.2kV
Type de boîtier de transistor
TO-247
Tension de test Rds(on)
12V
Dissipation de puissance
341W
Gamme de produit
-
Documents techniques (2)
Législation et Questions environnementales
Pays d'origine :
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :Philippines
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :Philippines
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
N° de tarif :85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (17-Jan-2023)
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Certificat de conformité du produit
Poids (kg) :.008236