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UF3SC065030B7S
MOSFET en carbure de silicium, Simple, Canal N, 62 A, 650 V, 27 mohm, D2PAK
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| Quantité | Prix (hors TVA) |
|---|---|
| 1+ | CHF 17.140 |
| 5+ | CHF 14.960 |
| 10+ | CHF 12.770 |
| 50+ | CHF 11.590 |
| 100+ | CHF 10.410 |
| 250+ | CHF 10.200 |
Prix pour :Pièce (fournie en bande découpée)
Minimum: 1
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Informations produit
FabricantONSEMI
Réf. FabricantUF3SC065030B7S
Code Commande4221962
Fiche technique
Configuration du module MOSFETSimple
Type de canalCanal N
Courant de drain Id62A
Tension Vds max..650V
Résistance Drain-Source à l'état-ON27mohm
Type de boîtier de transistorD2PAK
Nombre de broches7Broche(s)
Tension de test Rds(on)12V
Tension de seuil Vgs Max6V
Dissipation de puissance214W
Température de fonctionnement max..175°C
Gamme de produit-
SVHCNo SVHC (17-Jan-2023)
Spécifications techniques
Configuration du module MOSFET
Simple
Courant de drain Id
62A
Résistance Drain-Source à l'état-ON
27mohm
Nombre de broches
7Broche(s)
Tension de seuil Vgs Max
6V
Température de fonctionnement max..
175°C
SVHC
No SVHC (17-Jan-2023)
Type de canal
Canal N
Tension Vds max..
650V
Type de boîtier de transistor
D2PAK
Tension de test Rds(on)
12V
Dissipation de puissance
214W
Gamme de produit
-
Documents techniques (2)
Législation et Questions environnementales
Pays d'origine :
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :Philippines
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :Philippines
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
N° de tarif :85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (17-Jan-2023)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Poids (kg) :.001
Traçabilité des produits