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TP65H035G4WSQA
Transistor Nitrure de gallium (GaN), 650 V, 47.2 A, 0.041 ohm, 22 nC, TO-247, Traversant
Image non contractuelle – Proposée seulement à titre d'illustration. Veuillez vous reporter au descriptif technique.
FabricantRENESAS
Réf. FabricantTP65H035G4WSQA
Code Commande4371964
Gamme de produitSuperGaN Series
Fiche technique
266 En Stock
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| Quantité | Prix (hors TVA) |
|---|---|
| 1+ | CHF 18.050 |
| 5+ | CHF 14.730 |
| 10+ | CHF 11.420 |
| 50+ | CHF 11.410 |
| 100+ | CHF 11.400 |
| 250+ | CHF 11.390 |
Prix pour :Pièce
Minimum: 1
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Informations produit
FabricantRENESAS
Réf. FabricantTP65H035G4WSQA
Code Commande4371964
Gamme de produitSuperGaN Series
Fiche technique
Tension Drain-Source Vds650V
Courant de drain Id47.2A
Résistance Drain-Source à l'état-ON0.041ohm
Charge de porte Typique22nC
Type de boîtier de transistorTO-247
Montage transistorTraversant
Nbre de broches3Broche(s)
Gamme de produitSuperGaN Series
QualificationAEC-Q101
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Spécifications techniques
Tension Drain-Source Vds
650V
Résistance Drain-Source à l'état-ON
0.041ohm
Type de boîtier de transistor
TO-247
Nbre de broches
3Broche(s)
Qualification
AEC-Q101
Courant de drain Id
47.2A
Charge de porte Typique
22nC
Montage transistor
Traversant
Gamme de produit
SuperGaN Series
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Documents techniques (1)
Législation et Questions environnementales
Pays d'origine :
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :Philippines
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :Philippines
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
N° de tarif :85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (21-Jan-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Poids (kg) :.24