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FabricantTOSHIBA
Réf. FabricantXPQ1R004PB,LXHQ(O
Code Commande4154414
Gamme de produitU-MOSIX-H Series
Egalement appeléXPQ1R004PB, XPQ1R004PB,LXHQ
Fiche technique
8’755 En Stock
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Quantité | Prix (hors TVA) |
---|---|
1+ | CHF 2.500 |
10+ | CHF 1.640 |
100+ | CHF 1.150 |
500+ | CHF 1.100 |
1000+ | CHF 1.050 |
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Minimum: 1
Multiple: 1
CHF 2.50 (sans TVA)
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Informations produit
FabricantTOSHIBA
Réf. FabricantXPQ1R004PB,LXHQ(O
Code Commande4154414
Gamme de produitU-MOSIX-H Series
Egalement appeléXPQ1R004PB, XPQ1R004PB,LXHQ
Fiche technique
Type de canalCanal N
Tension Drain-Source Vds40V
Courant de drain Id200A
Résistance Drain-Source à l'état-ON800µohm
Type de boîtier de transistorL-TOGL
Montage transistorMontage en surface
Tension de test Rds(on)10V
Tension de seuil Vgs Max3V
Dissipation de puissance230W
Nbre de broches9Broche(s)
Température d'utilisation Max.175°C
Gamme de produitU-MOSIX-H Series
QualificationAEC-Q101
SVHCTo Be Advised
Spécifications techniques
Type de canal
Canal N
Courant de drain Id
200A
Type de boîtier de transistor
L-TOGL
Tension de test Rds(on)
10V
Dissipation de puissance
230W
Température d'utilisation Max.
175°C
Qualification
AEC-Q101
Tension Drain-Source Vds
40V
Résistance Drain-Source à l'état-ON
800µohm
Montage transistor
Montage en surface
Tension de seuil Vgs Max
3V
Nbre de broches
9Broche(s)
Gamme de produit
U-MOSIX-H Series
SVHC
To Be Advised
Documents techniques (1)
Législation et Questions environnementales
Pays d'origine :
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :Japan
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :Japan
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
N° de tarif :85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:À déterminer
SVHC :To Be Advised
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Certificat de conformité du produit
Poids (kg) :.000745
Traçabilité des produits