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FabricantTOSHIBA
Réf. FabricantTK7R2E10PL,S1X(S
Code Commande4173163
Gamme de produitU-MOSIX-H Series
Egalement appeléTK7R2E10PL, TK7R2E10PL,S1X
Fiche technique
760 En Stock
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Quantité | Prix (hors TVA) |
---|---|
1+ | CHF 1.480 |
10+ | CHF 1.120 |
100+ | CHF 0.807 |
500+ | CHF 0.691 |
1000+ | CHF 0.643 |
5000+ | CHF 0.630 |
Prix pour :Pièce
Minimum: 1
Multiple: 1
CHF 1.48 (sans TVA)
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Informations produit
FabricantTOSHIBA
Réf. FabricantTK7R2E10PL,S1X(S
Code Commande4173163
Gamme de produitU-MOSIX-H Series
Egalement appeléTK7R2E10PL, TK7R2E10PL,S1X
Fiche technique
Type de canalCanal N
Tension Drain-Source Vds100V
Courant de drain Id94A
Résistance Drain-Source à l'état-ON0.0061ohm
Type de boîtier de transistorTO-220
Montage transistorTraversant
Tension de test Rds(on)10V
Tension de seuil Vgs Max2.5V
Dissipation de puissance123W
Nbre de broches3Broche(s)
Température d'utilisation Max.175°C
Gamme de produitU-MOSIX-H Series
Qualification-
SVHCTo Be Advised
Spécifications techniques
Type de canal
Canal N
Courant de drain Id
94A
Type de boîtier de transistor
TO-220
Tension de test Rds(on)
10V
Dissipation de puissance
123W
Température d'utilisation Max.
175°C
Qualification
-
Tension Drain-Source Vds
100V
Résistance Drain-Source à l'état-ON
0.0061ohm
Montage transistor
Traversant
Tension de seuil Vgs Max
2.5V
Nbre de broches
3Broche(s)
Gamme de produit
U-MOSIX-H Series
SVHC
To Be Advised
Documents techniques (1)
Législation et Questions environnementales
Pays d'origine :
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :China
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :China
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
N° de tarif :85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme RoHS :Y-Ex
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :To Be Advised
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Certificat de conformité du produit
Poids (kg) :.00193
Traçabilité des produits