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TK4P60DA,RQ(S2
MOSFET de puissance, Canal N, 600 V, 3.5 A, 2.2 ohm, TO-252 (DPAK), Montage en surface
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| Quantité | Prix (hors TVA) |
|---|---|
| 2500+ | CHF 0.912 |
| 7500+ | CHF 0.598 |
Prix pour :Pièce (fournie en bobine complète)
Minimum: 2500
Multiple: 2500
CHF 2’280.00 (sans TVA)
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Informations produit
FabricantTOSHIBA
Réf. FabricantTK4P60DA,RQ(S2
Code Commande4338970
Fiche technique
Type de canalCanal N
Tension Drain-Source Vds600V
Courant de drain Id3.5A
Résistance Drain-Source à l'état-ON2.2ohm
Type de boîtier de transistorTO-252 (DPAK)
Montage transistorMontage en surface
Tension de test Rds(on)10V
Tension de seuil Vgs Max2.4V
Dissipation de puissance80W
Nbre de broches3Broche(s)
Température d'utilisation Max.150°C
Gamme de produit-
Qualification-
SVHCTo Be Advised
Spécifications techniques
Type de canal
Canal N
Courant de drain Id
3.5A
Type de boîtier de transistor
TO-252 (DPAK)
Tension de test Rds(on)
10V
Dissipation de puissance
80W
Température d'utilisation Max.
150°C
Qualification
-
Tension Drain-Source Vds
600V
Résistance Drain-Source à l'état-ON
2.2ohm
Montage transistor
Montage en surface
Tension de seuil Vgs Max
2.4V
Nbre de broches
3Broche(s)
Gamme de produit
-
SVHC
To Be Advised
Documents techniques (1)
Législation et Questions environnementales
Pays d'origine :
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :China
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :China
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
N° de tarif :85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme RoHS :Non
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Non
SVHC :To Be Advised
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Certificat de conformité du produit
Poids (kg) :.004536
Traçabilité des produits