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TK31N60W5,S1VF(S
MOSFET de puissance, Canal N, 600 V, 30.8 A, 0.082 ohm, TO-247, Traversant
Image non contractuelle – Proposée seulement à titre d'illustration. Veuillez vous reporter au descriptif technique.
FabricantTOSHIBA
Réf. FabricantTK31N60W5,S1VF(S
Code Commande4173072
Egalement appeléTK31N60W5, TK31N60W5,S1VF
Fiche technique
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| Quantité | Prix (hors TVA) |
|---|---|
| 1+ | CHF 8.300 |
| 10+ | CHF 6.660 |
| 100+ | CHF 5.020 |
| 500+ | CHF 4.170 |
| 1000+ | CHF 3.910 |
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Informations produit
FabricantTOSHIBA
Réf. FabricantTK31N60W5,S1VF(S
Code Commande4173072
Egalement appeléTK31N60W5, TK31N60W5,S1VF
Fiche technique
Type de canalCanal N
Tension Drain-Source Vds600V
Courant de drain Id30.8A
Résistance Drain-Source à l'état-ON0.082ohm
Type de boîtier de transistorTO-247
Montage transistorTraversant
Tension de test Rds(on)10V
Tension de seuil Vgs Max4.5V
Dissipation de puissance230W
Nbre de broches3Broche(s)
Température d'utilisation Max.150°C
Gamme de produit-
Qualification-
SVHCTo Be Advised
Spécifications techniques
Type de canal
Canal N
Courant de drain Id
30.8A
Type de boîtier de transistor
TO-247
Tension de test Rds(on)
10V
Dissipation de puissance
230W
Température d'utilisation Max.
150°C
Qualification
-
Tension Drain-Source Vds
600V
Résistance Drain-Source à l'état-ON
0.082ohm
Montage transistor
Traversant
Tension de seuil Vgs Max
4.5V
Nbre de broches
3Broche(s)
Gamme de produit
-
SVHC
To Be Advised
Documents techniques (1)
Législation et Questions environnementales
Pays d'origine :
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :China
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :China
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
N° de tarif :85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :To Be Advised
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Certificat de conformité du produit
Poids (kg) :.00615