Imprimer la page
SSM3K333R,LF(T
MOSFET de puissance, Canal N, 30 V, 6 A, 0.0257 ohm, SOT-23F, Montage en surface
Image non contractuelle – Proposée seulement à titre d'illustration. Veuillez vous reporter au descriptif technique.
FabricantTOSHIBA
Réf. FabricantSSM3K333R,LF(T
Code Commande3872285RL
Egalement appeléSSM3K333R ,SSM3K333R,LF
Fiche technique
4’902 En Stock
Vous en voulez davantage ?
Livraison sous 1 à 2 jours ouvrables
Commandez avant 17h00 pour bénéficier de l’expédition standard
| Quantité | Prix (hors TVA) |
|---|---|
| 100+ | CHF 0.101 |
| 500+ | CHF 0.0926 |
| 1000+ | CHF 0.0898 |
| 5000+ | CHF 0.0669 |
Prix pour :Pièce (fournie en bande découpée)
Minimum: 100
Multiple: 5
CHF 15.10 (sans TVA)
Des frais de mise en bobine de CHF 5.00 seront appliqués pour ce produit
Ajouter Référence Interne / Note à la ligne
Ajouté à votre confirmation de commande, à votre facture et à votre note d’expédition pour cette commande uniquement.
Ce numéro sera ajouté à la confirmation de commande, à la facture, au bon d’expédition, à l’e-mail de confirmation Web et à l’étiquette.
Informations produit
FabricantTOSHIBA
Réf. FabricantSSM3K333R,LF(T
Code Commande3872285RL
Egalement appeléSSM3K333R ,SSM3K333R,LF
Fiche technique
Polarité transistorCanal N
Type de canalCanal N
Tension Drain-Source Vds30V
Courant de drain Id6A
Résistance Drain-Source à l'état-ON0.0257ohm
Résistance Rds(on)0.0257ohm
Type de boîtier de transistorSOT-23F
Montage transistorMontage en surface
Tension de test Rds(on)4.5V
Tension de seuil Vgs Max2.5V
Dissipation de puissance Pd1W
Dissipation de puissance1W
Nbre de broches3Broche(s)
Température d'utilisation Max.150°C
Gamme de produit-
Qualification-
Normes Qualification Automobile-
SVHCTo Be Advised
Spécifications techniques
Polarité transistor
Canal N
Tension Drain-Source Vds
30V
Résistance Drain-Source à l'état-ON
0.0257ohm
Type de boîtier de transistor
SOT-23F
Tension de test Rds(on)
4.5V
Dissipation de puissance Pd
1W
Nbre de broches
3Broche(s)
Gamme de produit
-
Normes Qualification Automobile
-
Type de canal
Canal N
Courant de drain Id
6A
Résistance Rds(on)
0.0257ohm
Montage transistor
Montage en surface
Tension de seuil Vgs Max
2.5V
Dissipation de puissance
1W
Température d'utilisation Max.
150°C
Qualification
-
SVHC
To Be Advised
Documents techniques (1)
Législation et Questions environnementales
Pays d'origine :
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :Thailand
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :Thailand
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
N° de tarif :85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :To Be Advised
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Poids (kg) :.000001
Traçabilité des produits