LM324N/NOPB

Le LM324N/NOPB est un amplificateur opérationnel à quatre indépendants, à gain élevé et à compensation de fréquence interne conçu pour fonctionner à partir d'une seule alimentation sur une large plage de tensions. Un fonctionnement à partir d'alimentations fractionnées est également possible. Le faible courant est indépendant de la grandeur de la tension d'alimentation. Les applications typiques comprennent les amplificateurs transducteurs, blocs de gain DC et tous les circuits amplificateurs opérationnels classiques qui peuvent maintenant être facilement mises en œuvre dans les systèmes d'alimentation simples. Par exemple, la série LM124-N peut fonctionner directement à partir d'une tension d'alimentation de 5V qui est utilisée dans les systèmes numériques et fournit facilement l'électronique d'interface requise sans nécessiter les alimentations supplémentaires ± 15V.

• Fréquence compensée en interne pour gain unitaire
• Très faible consommation de courant d'alimentation (700µA) - Essentiellement indépendant de la tension d'alimentation
• Gamme de tension mode commun d'entrée inclut la masse
• Gamme de tension d'entrée différentielle égale à la tension d'alimentation
• Élimine le besoin d'une double alimentation
• Permet une détection directe proche de GND et VOUT va également à GND
• Compatible avec toutes les formes de logique
• Drain de puissance compatible avec un fonctionnement sur batterie
• En mode linéaire, le mode commun d'entrée, la plage de tension comprend la terre et la tension de sortie
• Peut basculer vers la terre, même s'il fonctionne à partir d'une seule tension d'alimentation
• La fréquence transversale du gain d'unité est compensée en température
• Le courant de polarisation d'entrée est également compensé en température
• Gain de tension DC large 100dB
• Faible courant de polarisation d'entrée 45nA (température compensée)
• Faible tension d'offset en entrée de 2mV
• Courant d'offsets 5nA

Avertissements

Ce composant possède une protection ESD intégrée limitée. Les conducteurs doivent être court-circuités ou le circuit placé dans de la mousse conductrice pendant le stockage ou la manipulation pour éviter aux portes MOS de subir des dommages électrostatiques.