Imprimer la page
Image non contractuelle – Proposée seulement à titre d'illustration. Veuillez vous reporter au descriptif technique.
2’825 En Stock
Vous en voulez davantage ?
Livraison sous 1 à 2 jours ouvrables
Commandez avant 17h00 pour bénéficier de l’expédition standard
Quantité | Prix (hors TVA) |
---|---|
100+ | CHF 0.265 |
500+ | CHF 0.202 |
1000+ | CHF 0.174 |
5000+ | CHF 0.147 |
Prix pour :Pièce (fournie en bande découpée)
Minimum: 100
Multiple: 5
CHF 31.50 (sans TVA)
Des frais de mise en bobine de CHF 5.00 seront appliqués pour ce produit
Ajouter Référence Interne / Note à la ligne
Ajouté à votre confirmation de commande, à votre facture et à votre note d’expédition pour cette commande uniquement.
Ce numéro sera ajouté à la confirmation de commande, à la facture, au bon d’expédition, à l’e-mail de confirmation Web et à l’étiquette.
Informations produit
FabricantTEXAS INSTRUMENTS
Réf. FabricantCSD16301Q2
Code Commande3125012RL
Type de canalCanal N
Polarité transistorCanal N
Tension Drain-Source Vds25V
Courant de drain Id5A
Résistance Drain-Source à l'état-ON0.019ohm
Résistance Rds(on)0.019ohm
Type de boîtier de transistorSON
Montage transistorMontage en surface
Tension de test Rds(on)8V
Tension de seuil Vgs Max1.2V
Dissipation de puissance2.3W
Dissipation de puissance Pd2.3W
Nbre de broches6Broche(s)
Température d'utilisation Max.150°C
Gamme de produit-
Qualification-
Normes Qualification Automobile-
SVHCNo SVHC (27-Jun-2018)
Aperçu du produit
Le CSD16301Q2 est un MOSFET de puissance à canal N NexFET™ conçu pour minimiser les pertes dans les applications de gestion de charge et de conversion de puissance.
- Ultra-faible Qg et Qgd
- Faible résistance thermique
- Sans halogène
- Boîtier plastique
- Gamme de température de jonction de -55 à 150°C
Spécifications techniques
Type de canal
Canal N
Tension Drain-Source Vds
25V
Résistance Drain-Source à l'état-ON
0.019ohm
Type de boîtier de transistor
SON
Tension de test Rds(on)
8V
Dissipation de puissance
2.3W
Nbre de broches
6Broche(s)
Gamme de produit
-
Normes Qualification Automobile
-
Polarité transistor
Canal N
Courant de drain Id
5A
Résistance Rds(on)
0.019ohm
Montage transistor
Montage en surface
Tension de seuil Vgs Max
1.2V
Dissipation de puissance Pd
2.3W
Température d'utilisation Max.
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (27-Jun-2018)
Documents techniques (1)
Législation et Questions environnementales
Pays d'origine :
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :Malaysia
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :Malaysia
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
N° de tarif :85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (27-Jun-2018)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Poids (kg) :.000112
Traçabilité des produits