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Informations produit
FabricantTAIWAN SEMICONDUCTOR
Réf. Fabricant1N4935G
Code Commande2677323
Fiche technique
Tension inverse crête répétitive200V
Courant direct moyen1A
Configuration diodeUne
Tension directe max1.2V
Temps de redressement en inverse200ns
Courant de surtension vers l'avant30A
Température d'utilisation Max.150°C
Type de boîtier de diodeDO-41 (DO-204AL)
Nbre de broches2Broche(s)
Gamme de produit-
Qualification-
SVHCNo SVHC (17-Jan-2023)
Spécifications techniques
Tension inverse crête répétitive
200V
Configuration diode
Une
Temps de redressement en inverse
200ns
Température d'utilisation Max.
150°C
Nbre de broches
2Broche(s)
Qualification
-
Courant direct moyen
1A
Tension directe max
1.2V
Courant de surtension vers l'avant
30A
Type de boîtier de diode
DO-41 (DO-204AL)
Gamme de produit
-
SVHC
No SVHC (17-Jan-2023)
Documents techniques (2)
Produits de remplacement pour 1N4935G
1 produit trouvé
Législation et Questions environnementales
Pays d'origine :
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :China
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :China
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
N° de tarif :85411000
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (17-Jan-2023)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Poids (kg) :.00034