Imprimer la page
Image non contractuelle – Proposée seulement à titre d'illustration. Veuillez vous reporter au descriptif technique.
FabricantSTMICROELECTRONICS
Réf. FabricantSTW20NK50Z
Code Commande9803890
Gamme de produitSTW
Fiche technique
1’165 En Stock
Vous en voulez davantage ?
Livraison EXPRESS en 1-2 jours ouvrés
Commandez avant 17h00
Livraison standard GRATUITE
pour les commandes de CHF 0.00 et plus
Les délais de livraison exacts seront calculés lors du paiement
| Quantité | Prix (hors TVA) |
|---|---|
| 1+ | CHF 3.260 |
| 10+ | CHF 1.700 |
| 100+ | CHF 1.630 |
| 500+ | CHF 1.620 |
| 1000+ | CHF 1.610 |
Prix pour :Pièce
Minimum: 1
Multiple: 1
CHF 3.26 (sans TVA)
Note à la ligne
Ajouté à votre confirmation de commande, à votre facture et à votre note d’expédition pour cette commande uniquement.
Ce numéro sera ajouté à la confirmation de commande, à la facture, au bon d’expédition, à l’e-mail de confirmation Web et à l’étiquette.
Informations produit
FabricantSTMICROELECTRONICS
Réf. FabricantSTW20NK50Z
Code Commande9803890
Gamme de produitSTW
Fiche technique
Type de canalCanal N
Tension Drain-Source Vds500V
Courant de drain Id17A
Résistance Drain-Source à l'état-ON0.23ohm
Type de boîtier de transistorTO-247
Montage transistorTraversant
Tension de test Rds(on)10V
Tension de seuil Vgs Max3.75V
Dissipation de puissance190W
Nbre de broches3Broche(s)
Température d'utilisation Max.150°C
Gamme de produitSTW
Qualification-
SVHCLead (21-Jan-2025)
Aperçu du produit
Le STW20NK50Z est un MOSFET de puissance 500V, canal N protégé par une Zener développé en utilisant la technologie SuperMESH™, obtenue grâce à l'optimisation de la disposition PowerMESH™ avec une base de bande bien établie. En plus de réduire considérablement la résistance à l'état passant, un soin particulier est apporté pour assurer une très bonne capacité dv/dt pour les applications les plus exigeantes. Charge de grille améliorée et dissipation de puissance réduite pour répondre aux exigences d'efficacité actuelles
- Capacité dv/dt extrêmement élevée
- Test Avalanche 100%
- Charge de porte minimisée
- Très faible capacité intrinsèque
Spécifications techniques
Type de canal
Canal N
Courant de drain Id
17A
Type de boîtier de transistor
TO-247
Tension de test Rds(on)
10V
Dissipation de puissance
190W
Température d'utilisation Max.
150°C
Qualification
-
Tension Drain-Source Vds
500V
Résistance Drain-Source à l'état-ON
0.23ohm
Montage transistor
Traversant
Tension de seuil Vgs Max
3.75V
Nbre de broches
3Broche(s)
Gamme de produit
STW
SVHC
Lead (21-Jan-2025)
Documents techniques (2)
Législation et Questions environnementales
Pays d'origine :
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :China
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :China
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
N° de tarif :85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme RoHS :Y-Ex
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :Lead (21-Jan-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Poids (kg) :.004309
Traçabilité des produits