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STPSC20H12G2-TR
Diode Schottky carbure de silicium, Une, 1.2 kV, 20 A, 129 nC, D2PAK-HV
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| Quantité | Prix (hors TVA) |
|---|---|
| 1+ | CHF 9.250 |
| 5+ | CHF 8.170 |
| 10+ | CHF 7.090 |
| 50+ | CHF 6.520 |
| 100+ | CHF 4.890 |
| 250+ | CHF 4.790 |
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Minimum: 1
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Informations produit
FabricantSTMICROELECTRONICS
Réf. FabricantSTPSC20H12G2-TR
Code Commande3766511
Fiche technique
Gamme de produit-
Configuration diodeUne
Tension inverse crête répétitive1.2kV
Courant direct moyen20A
Charge Capacitive Totale129nC
Type de boîtier de diodeD2PAK-HV
Nbre de broches3 broches
Température d'utilisation Max.175°C
Type de montage de diodeMontage en surface
Qualification-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Spécifications techniques
Gamme de produit
-
Tension inverse crête répétitive
1.2kV
Charge Capacitive Totale
129nC
Nbre de broches
3 broches
Type de montage de diode
Montage en surface
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Configuration diode
Une
Courant direct moyen
20A
Type de boîtier de diode
D2PAK-HV
Température d'utilisation Max.
175°C
Qualification
-
Documents techniques (2)
Législation et Questions environnementales
Pays d'origine :
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :China
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :China
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
N° de tarif :85411000
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (21-Jan-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Poids (kg) :.00148
Traçabilité des produits