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STP120NF10
MOSFET de puissance, Canal N, 100 V, 110 A, 9000 µohm, TO-220, Traversant
Image non contractuelle – Proposée seulement à titre d'illustration. Veuillez vous reporter au descriptif technique.
FabricantSTMICROELECTRONICS
Réf. FabricantSTP120NF10
Code Commande1611428
Gamme de produitSTP
Fiche technique
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| Quantité | Prix (hors TVA) |
|---|---|
| 1+ | CHF 3.410 |
| 10+ | CHF 2.040 |
| 100+ | CHF 1.560 |
| 500+ | CHF 1.340 |
| 1000+ | CHF 1.320 |
Prix pour :Pièce
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Informations produit
FabricantSTMICROELECTRONICS
Réf. FabricantSTP120NF10
Code Commande1611428
Gamme de produitSTP
Fiche technique
Type de canalCanal N
Tension Drain-Source Vds100V
Courant de drain Id110A
Résistance Drain-Source à l'état-ON9000µohm
Type de boîtier de transistorTO-220
Montage transistorTraversant
Tension de test Rds(on)10V
Tension de seuil Vgs Max4V
Dissipation de puissance312W
Nbre de broches3Broche(s)
Température d'utilisation Max.175°C
Gamme de produitSTP
Qualification-
MSL-
SVHCLead (21-Jan-2025)
Aperçu du produit
Le STP120NF10 est un MOSFET de puissance canal N, le procédé STripFET ™ unique de STMicroelectronics a été spécifiquement conçu pour minimiser la résistance-On. Il convient comme commutateur principal pour les convertisseurs DC-DC isolés à haute efficacité et à haut rendement avancés pour les applications de télécommunications et informatiques. Il est également approprié pour toutes les applications avec des besoins de faible encombrement.
- Capacité dv/dt exceptionnelle
- Test Avalanche 100%
- Caractérisation orientée vers l'application
Avertissements
La forte demande du marché pour ce produit, entraîné une augmentation des délais. Les dates de livraison peuvent varier. Produit exempt de remises.
Spécifications techniques
Type de canal
Canal N
Courant de drain Id
110A
Type de boîtier de transistor
TO-220
Tension de test Rds(on)
10V
Dissipation de puissance
312W
Température d'utilisation Max.
175°C
Qualification
-
SVHC
Lead (21-Jan-2025)
Tension Drain-Source Vds
100V
Résistance Drain-Source à l'état-ON
9000µohm
Montage transistor
Traversant
Tension de seuil Vgs Max
4V
Nbre de broches
3Broche(s)
Gamme de produit
STP
MSL
-
Documents techniques (2)
Législation et Questions environnementales
Pays d'origine :
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :Morocco
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :Morocco
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
N° de tarif :85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme RoHS :Y-Ex
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :Lead (21-Jan-2025)
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Certificat de conformité du produit
Poids (kg) :.002717