Imprimer la page
STL20N6F7
MOSFET de puissance, Canal N, 60 V, 100 A, 0.0046 ohm, PowerFLAT, Montage en surface
Image non contractuelle – Proposée seulement à titre d'illustration. Veuillez vous reporter au descriptif technique.
FabricantSTMICROELECTRONICS
Réf. FabricantSTL20N6F7
Code Commande3132750
Gamme de produitSTripFET F7
Fiche technique
6’095 En Stock
Vous en voulez davantage ?
Livraison sous 1 à 2 jours ouvrables
Commandez avant 17h00 pour bénéficier de l’expédition standard
| Quantité | Prix (hors TVA) |
|---|---|
| 5+ | CHF 1.280 |
| 50+ | CHF 0.895 |
| 100+ | CHF 0.697 |
| 500+ | CHF 0.590 |
| 1500+ | CHF 0.494 |
Prix pour :Pièce (fournie en bande découpée)
Minimum: 5
Multiple: 5
CHF 6.40 (sans TVA)
Ajouter Référence Interne / Note à la ligne
Ajouté à votre confirmation de commande, à votre facture et à votre note d’expédition pour cette commande uniquement.
Ce numéro sera ajouté à la confirmation de commande, à la facture, au bon d’expédition, à l’e-mail de confirmation Web et à l’étiquette.
Informations produit
FabricantSTMICROELECTRONICS
Réf. FabricantSTL20N6F7
Code Commande3132750
Gamme de produitSTripFET F7
Fiche technique
Type de canalCanal N
Tension Drain-Source Vds60V
Courant de drain Id100A
Résistance Drain-Source à l'état-ON0.0046ohm
Type de boîtier de transistorPowerFLAT
Montage transistorMontage en surface
Tension de test Rds(on)10V
Tension de seuil Vgs Max4V
Dissipation de puissance78W
Nbre de broches8Broche(s)
Température d'utilisation Max.150°C
Gamme de produitSTripFET F7
Qualification-
MSLMSL 1 - Illimité
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Aperçu du produit
STL20N6F7 is a N-channel STripFET™ F7 Power MOSFET in a PowerFLAT™ 3.3x3.3 package. This N-channel Power MOSFET utilizes STripFET™ F7 technology with an enhanced trench gate structure that results in very low onstate resistance, while also reducing internal capacitance and gate charge for faster and more efficient switching. Suitable for switching applications.
- Among the lowest RDS(on) on the market
- Excellent figure of merit (FoM)
- Low Crss/Ciss ratio for EMI immunity
- High avalanche ruggedness
- 60V drain-source breakdown voltage
- 0.0054ohm static drain-source on-resistance max
- 20A drain current (continuous) at Tpcb = 25 °C
- Operating junction temperature range from -55 to 150°C
- 3W total dissipation at Tpcb = 25°C
Spécifications techniques
Type de canal
Canal N
Courant de drain Id
100A
Type de boîtier de transistor
PowerFLAT
Tension de test Rds(on)
10V
Dissipation de puissance
78W
Température d'utilisation Max.
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Tension Drain-Source Vds
60V
Résistance Drain-Source à l'état-ON
0.0046ohm
Montage transistor
Montage en surface
Tension de seuil Vgs Max
4V
Nbre de broches
8Broche(s)
Gamme de produit
STripFET F7
MSL
MSL 1 - Illimité
Documents techniques (2)
Législation et Questions environnementales
Pays d'origine :
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :China
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :China
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
N° de tarif :85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (21-Jan-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Poids (kg) :.00035
Traçabilité des produits