Imprimer la page
Image non contractuelle – Proposée seulement à titre d'illustration. Veuillez vous reporter au descriptif technique.
FabricantSTMICROELECTRONICS
Réf. FabricantSTK130N4LF7AG
Code Commande3879175RL
Gamme de produitSTripFET F7 Series
Fiche technique
262 En Stock
Vous en voulez davantage ?
Livraison sous 1 à 2 jours ouvrables
Commandez avant 17h00 pour bénéficier de l’expédition standard
Disponible jusqu à épuisement du stock
Quantité | Prix (hors TVA) |
---|---|
100+ | CHF 0.717 |
Prix pour :Pièce (fournie en bande découpée)
Le maximum disponible est de 262
Minimum: 500
Multiple: 1
CHF 363.50 (sans TVA)
Des frais de mise en bobine de CHF 5.00 seront appliqués pour ce produit
Ajouter Référence Interne / Note à la ligne
Ajouté à votre confirmation de commande, à votre facture et à votre note d’expédition pour cette commande uniquement.
Ce numéro sera ajouté à la confirmation de commande, à la facture, au bon d’expédition, à l’e-mail de confirmation Web et à l’étiquette.
Informations produit
FabricantSTMICROELECTRONICS
Réf. FabricantSTK130N4LF7AG
Code Commande3879175RL
Gamme de produitSTripFET F7 Series
Fiche technique
Type de canalCanal N
Polarité transistorCanal N
Tension Drain-Source Vds40V
Courant de drain Id100A
Résistance Drain-Source à l'état-ON0.0024ohm
Résistance Rds(on)0.0024ohm
Type de boîtier de transistorLFPAK
Montage transistorMontage en surface
Tension de test Rds(on)10V
Tension de seuil Vgs Max2.5V
Dissipation de puissance Pd105W
Dissipation de puissance105W
Nbre de broches4Broche(s)
Température d'utilisation Max.175°C
Gamme de produitSTripFET F7 Series
QualificationAEC-Q101
Normes Qualification AutomobileAEC-Q101
MSLMSL 1 - Illimité
SVHCNo SVHC (17-Dec-2015)
Spécifications techniques
Type de canal
Canal N
Tension Drain-Source Vds
40V
Résistance Drain-Source à l'état-ON
0.0024ohm
Type de boîtier de transistor
LFPAK
Tension de test Rds(on)
10V
Dissipation de puissance Pd
105W
Nbre de broches
4Broche(s)
Gamme de produit
STripFET F7 Series
Normes Qualification Automobile
AEC-Q101
SVHC
No SVHC (17-Dec-2015)
Polarité transistor
Canal N
Courant de drain Id
100A
Résistance Rds(on)
0.0024ohm
Montage transistor
Montage en surface
Tension de seuil Vgs Max
2.5V
Dissipation de puissance
105W
Température d'utilisation Max.
175°C
Qualification
AEC-Q101
MSL
MSL 1 - Illimité
Documents techniques (2)
Législation et Questions environnementales
Pays d'origine :
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :China
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :China
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
N° de tarif :85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (17-Dec-2015)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Poids (kg) :.000007