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STGWT60H65DFB
IGBT, 80 A, 1.6 V, 375 W, 650 V, TO-3P, 3 Broche(s)
Image non contractuelle – Proposée seulement à titre d'illustration. Veuillez vous reporter au descriptif technique.
FabricantSTMICROELECTRONICS
Réf. FabricantSTGWT60H65DFB
Code Commande3366994
Gamme de produit650V HB
Fiche technique
72 En Stock
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| Quantité | Prix (hors TVA) |
|---|---|
| 1+ | CHF 3.820 |
| 10+ | CHF 2.980 |
| 100+ | CHF 2.410 |
| 500+ | CHF 2.280 |
| 1000+ | CHF 2.140 |
Prix pour :Pièce
Minimum: 1
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Informations produit
FabricantSTMICROELECTRONICS
Réf. FabricantSTGWT60H65DFB
Code Commande3366994
Gamme de produit650V HB
Fiche technique
Courant Collecteur Continu80A
Tension de saturation Emetteur Collecteur1.6V
Dissipation de puissance375W
Tension Collecteur Emetteur Max650V
Type de boîtier de transistorTO-3P
Nbre de broches3Broche(s)
Température d'utilisation Max.175°C
Montage transistorTraversant
Gamme de produit650V HB
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Spécifications techniques
Courant Collecteur Continu
80A
Dissipation de puissance
375W
Type de boîtier de transistor
TO-3P
Température d'utilisation Max.
175°C
Gamme de produit
650V HB
Tension de saturation Emetteur Collecteur
1.6V
Tension Collecteur Emetteur Max
650V
Nbre de broches
3Broche(s)
Montage transistor
Traversant
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Documents techniques (2)
Législation et Questions environnementales
Pays d'origine :
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :South Korea
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :South Korea
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
N° de tarif :85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (21-Jan-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Poids (kg) :.00443
Traçabilité des produits