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STGD4H60DF
IGBT, 8 A, 1.6 V, 75 W, 600 V, TO-252 (DPAK), 3 Broche(s)
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| Quantité | Prix (hors TVA) |
|---|---|
| 1+ | CHF 0.707 |
| 10+ | CHF 0.507 |
| 100+ | CHF 0.401 |
Prix pour :Pièce (fournie en bande découpée)
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Informations produit
FabricantSTMICROELECTRONICS
Réf. FabricantSTGD4H60DF
Code Commande4294107
Fiche technique
Courant Collecteur Continu8A
Tension de saturation Emetteur Collecteur1.6V
Dissipation de puissance75W
Tension Collecteur Emetteur Max600V
Type de boîtier de transistorTO-252 (DPAK)
Nbre de broches3Broche(s)
Température d'utilisation Max.175°C
Montage transistorMontage en surface
Gamme de produit-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Spécifications techniques
Courant Collecteur Continu
8A
Dissipation de puissance
75W
Type de boîtier de transistor
TO-252 (DPAK)
Température d'utilisation Max.
175°C
Gamme de produit
-
Tension de saturation Emetteur Collecteur
1.6V
Tension Collecteur Emetteur Max
600V
Nbre de broches
3Broche(s)
Montage transistor
Montage en surface
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Documents techniques (2)
Législation et Questions environnementales
Pays d'origine :
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :China
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :China
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
N° de tarif :85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme RoHS :Y-Ex
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (21-Jan-2025)
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Certificat de conformité du produit
Poids (kg) :.0003