Imprimer la page
STGD18N40LZT4
IGBT, 25 A, 1.35 V, 125 W, 390 V, TO-252 (DPAK), 3 Broche(s)
Image non contractuelle – Proposée seulement à titre d'illustration. Veuillez vous reporter au descriptif technique.
1’926 En Stock
Vous en voulez davantage ?
Livraison EXPRESS en 1-2 jours ouvrés
Commandez avant 17h00
Livraison standard GRATUITE
pour les commandes de CHF 0.00 et plus
Les délais de livraison exacts seront calculés lors du paiement
| Quantité | Prix (hors TVA) |
|---|---|
| 1+ | CHF 1.400 |
| 10+ | CHF 1.060 |
| 100+ | CHF 0.976 |
| 500+ | CHF 0.897 |
| 1000+ | CHF 0.816 |
Prix pour :Pièce
Minimum: 1
Multiple: 1
CHF 1.40 (sans TVA)
Note à la ligne
Ajouté à votre confirmation de commande, à votre facture et à votre note d’expédition pour cette commande uniquement.
Ce numéro sera ajouté à la confirmation de commande, à la facture, au bon d’expédition, à l’e-mail de confirmation Web et à l’étiquette.
Informations produit
FabricantSTMICROELECTRONICS
Réf. FabricantSTGD18N40LZT4
Code Commande2344078
Fiche technique
Courant Collecteur Continu25A
Tension de saturation Emetteur Collecteur1.35V
Dissipation de puissance125W
Tension Collecteur Emetteur Max390V
Type de boîtier de transistorTO-252 (DPAK)
Nbre de broches3Broche(s)
Température d'utilisation Max.175°C
Montage transistorMontage en surface
Gamme de produit-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Aperçu du produit
The STGD18N40LZT4 is an internally clamped IGBT utilizes the most advanced PowerMESH™ technology. The built-in Zener diode between gate-collector and gate-emitter provide overvoltage protection capabilities. The device also exhibits low ON-state voltage drop and low threshold drive for use in automotive ignition system. It is suitable for pencil coil electronic ignition drive.
- ESD gate-emitter protection
- Gate-collector high voltage clamping
- Logic level gate drive
- Low saturation voltage
- High pulsed current capability
- Gate and gate-emitter resistor
- 180mJ Avalanche energy @ TC = 150°C, L = 3mH
Spécifications techniques
Courant Collecteur Continu
25A
Dissipation de puissance
125W
Type de boîtier de transistor
TO-252 (DPAK)
Température d'utilisation Max.
175°C
Gamme de produit
-
Tension de saturation Emetteur Collecteur
1.35V
Tension Collecteur Emetteur Max
390V
Nbre de broches
3Broche(s)
Montage transistor
Montage en surface
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Documents techniques (2)
Produits associés
2 produit(s) trouvé(s)
Législation et Questions environnementales
Pays d'origine :
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :China
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :China
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
N° de tarif :85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (21-Jan-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Poids (kg) :.000533
Traçabilité des produits