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STGB30H60DLFB
IGBT, 60 A, 1.55 V, 260 W, 600 V, TO-263 (D2PAK), 3 Broche(s)
Image non contractuelle – Proposée seulement à titre d'illustration. Veuillez vous reporter au descriptif technique.
FabricantSTMICROELECTRONICS
Réf. FabricantSTGB30H60DLFB
Code Commande3366978
Gamme de produit650V HB
Fiche technique
786 En Stock
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| Quantité | Prix (hors TVA) |
|---|---|
| 1+ | CHF 2.450 |
| 10+ | CHF 2.410 |
| 100+ | CHF 2.360 |
| 500+ | CHF 2.300 |
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Informations produit
FabricantSTMICROELECTRONICS
Réf. FabricantSTGB30H60DLFB
Code Commande3366978
Gamme de produit650V HB
Fiche technique
Courant Collecteur Continu60A
Tension de saturation Emetteur Collecteur1.55V
Dissipation de puissance260W
Tension Collecteur Emetteur Max600V
Type de boîtier de transistorTO-263 (D2PAK)
Nbre de broches3Broche(s)
Température d'utilisation Max.175°C
Montage transistorMontage en surface
Gamme de produit650V HB
MSLMSL 1 - Illimité
SVHCNo SVHC (17-Dec-2015)
Aperçu du produit
Avertissements
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Spécifications techniques
Courant Collecteur Continu
60A
Dissipation de puissance
260W
Type de boîtier de transistor
TO-263 (D2PAK)
Température d'utilisation Max.
175°C
Gamme de produit
650V HB
SVHC
No SVHC (17-Dec-2015)
Tension de saturation Emetteur Collecteur
1.55V
Tension Collecteur Emetteur Max
600V
Nbre de broches
3Broche(s)
Montage transistor
Montage en surface
MSL
MSL 1 - Illimité
Documents techniques (3)
Législation et Questions environnementales
Pays d'origine :
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :China
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :China
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
N° de tarif :85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (17-Dec-2015)
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Certificat de conformité du produit
Poids (kg) :.00138