Imprimer la page
Image non contractuelle – Proposée seulement à titre d'illustration. Veuillez vous reporter au descriptif technique.
4’649 En Stock
Vous en voulez davantage ?
Livraison sous 1 à 2 jours ouvrables
Commandez avant 17h00 pour bénéficier de l’expédition standard
Quantité | Prix (hors TVA) |
---|---|
1+ | CHF 2.120 |
10+ | CHF 1.540 |
100+ | CHF 1.120 |
500+ | CHF 0.940 |
1000+ | CHF 0.935 |
5000+ | CHF 0.891 |
Prix pour :Pièce (fournie en bande découpée)
Minimum: 1
Multiple: 1
CHF 2.12 (sans TVA)
Ajouter Référence Interne / Note à la ligne
Ajouté à votre confirmation de commande, à votre facture et à votre note d’expédition pour cette commande uniquement.
Ce numéro sera ajouté à la confirmation de commande, à la facture, au bon d’expédition, à l’e-mail de confirmation Web et à l’étiquette.
Informations produit
FabricantSTMICROELECTRONICS
Réf. FabricantSTB6NK60ZT4
Code Commande1752006
Fiche technique
Type de canalCanal N
Tension Drain-Source Vds600V
Courant de drain Id3A
Résistance Drain-Source à l'état-ON1ohm
Type de boîtier de transistorTO-263 (D2PAK)
Montage transistorMontage en surface
Tension de test Rds(on)10V
Tension de seuil Vgs Max3.75V
Dissipation de puissance110W
Nbre de broches3Broche(s)
Température d'utilisation Max.150°C
Gamme de produit-
Qualification-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Aperçu du produit
The STB6NK60ZT4 is a SuperMESH™ N-channel Power MOSFET offers Zener-protection and minimized gate charge. The SuperMESH™ is obtained through an extreme optimization of ST's well established strip-based PowerMESH™ layout. In addition to pushing ON-resistance significantly down, special care is taken to ensure a very good dV/dt capability for the most demanding applications.
- 100% Avalanche tested
- Extremely high dV/dt capability
Avertissements
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
Spécifications techniques
Type de canal
Canal N
Courant de drain Id
3A
Type de boîtier de transistor
TO-263 (D2PAK)
Tension de test Rds(on)
10V
Dissipation de puissance
110W
Température d'utilisation Max.
150°C
Qualification
-
Tension Drain-Source Vds
600V
Résistance Drain-Source à l'état-ON
1ohm
Montage transistor
Montage en surface
Tension de seuil Vgs Max
3.75V
Nbre de broches
3Broche(s)
Gamme de produit
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Documents techniques (2)
Législation et Questions environnementales
Pays d'origine :
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :China
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :China
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
N° de tarif :85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (21-Jan-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Poids (kg) :.001814