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PD57060S-E
Transistor FET RF, 65 V, 7 A, 79 W, 945 MHz, PowerSO-10RF
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FabricantSTMICROELECTRONICS
Réf. FabricantPD57060S-E
Code Commande2807340
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Fiche technique
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Informations produit
FabricantSTMICROELECTRONICS
Réf. FabricantPD57060S-E
Code Commande2807340
Fiche technique
Tension Drain-Source Vds65V
Courant de drain Id7A
Dissipation de puissance79W
Fréquence d'utilisation Min.-
Fréquence d'utilisation Max.945MHz
Type de boîtier de transistorPowerSO-10RF
Nbre de broches3Broche(s)
Température d'utilisation Max.165°C
Type de canalCanal N
Montage transistorBride
Gamme de produit-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Aperçu du produit
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Spécifications techniques
Tension Drain-Source Vds
65V
Dissipation de puissance
79W
Fréquence d'utilisation Max.
945MHz
Nbre de broches
3Broche(s)
Type de canal
Canal N
Gamme de produit
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Courant de drain Id
7A
Fréquence d'utilisation Min.
-
Type de boîtier de transistor
PowerSO-10RF
Température d'utilisation Max.
165°C
Montage transistor
Bride
MSL
MSL 3 - 168 heures
Documents techniques (2)
Législation et Questions environnementales
Pays d'origine :
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :China
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :China
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
N° de tarif :85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (25-Jun-2025)
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Certificat de conformité du produit
Poids (kg) :.0023