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GD1200SGX170C3SN
Module IGBT, Simple, 1.2 kA, 1.85 V, 150 °C, Module
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Informations produit
FabricantSTARPOWER
Réf. FabricantGD1200SGX170C3SN
Code Commande3912083
Fiche technique
Configuration IGBTSimple
Courant Collecteur Continu1.2kA
Courant de collecteur DC1.2kA
Tension saturation Collecteur-Emetteur Vce(on)1.85V
Tension de saturation Emetteur Collecteur1.85V
Dissipation de puissance Pd-
Dissipation de puissance-
Température, Tj max..150°C
Température de fonctionnement max..150°C
Type de boîtier de transistorModule
Borne IGBTGoujon
Tension Collecteur Emetteur Max1.7kV
Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo1.7kV
Technologie IGBTTrench
Montage transistorPanneau
Gamme de produit-
SVHCNo SVHC (17-Jan-2022)
Spécifications techniques
Configuration IGBT
Simple
Courant de collecteur DC
1.2kA
Tension de saturation Emetteur Collecteur
1.85V
Dissipation de puissance
-
Température de fonctionnement max..
150°C
Borne IGBT
Goujon
Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo
1.7kV
Montage transistor
Panneau
SVHC
No SVHC (17-Jan-2022)
Courant Collecteur Continu
1.2kA
Tension saturation Collecteur-Emetteur Vce(on)
1.85V
Dissipation de puissance Pd
-
Température, Tj max..
150°C
Type de boîtier de transistor
Module
Tension Collecteur Emetteur Max
1.7kV
Technologie IGBT
Trench
Gamme de produit
-
Documents techniques (1)
Législation et Questions environnementales
Pays d'origine :
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :China
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :China
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
N° de tarif :85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (17-Jan-2022)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Poids (kg) :1.5