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Modèle non fabriqué
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Informations produit
FabricantSOLID STATE
Réf. FabricantMJ11012
Code Commande1713168
Fiche technique
Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo60V
Tension Collecteur Emetteur Max60V
Dissipation de puissance Pd200W
Courant Collecteur Continu30A
Dissipation de puissance200W
Courant de collecteur DC30A
Type de boîtier de transistorTO-3
Montage transistorThrough Hole
Gain en courant DC hFE200hFE
Nbre de broches2Broche(s)
Fréquence de transition-
Gain de courant DC hFE Min.1000hFE
Température d'utilisation Max.200°C
Gamme de produit-
Qualification0
MSL-
Spécifications techniques
Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo
60V
Dissipation de puissance Pd
200W
Dissipation de puissance
200W
Type de boîtier de transistor
TO-3
Gain en courant DC hFE
200hFE
Fréquence de transition
-
Température d'utilisation Max.
200°C
Qualification
0
Tension Collecteur Emetteur Max
60V
Courant Collecteur Continu
30A
Courant de collecteur DC
30A
Montage transistor
Through Hole
Nbre de broches
2Broche(s)
Gain de courant DC hFE Min.
1000hFE
Gamme de produit
-
MSL
-
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1 produit trouvé
Législation et Questions environnementales
Pays d'origine :
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :United States
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :United States
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
N° de tarif :85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
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Certificat de conformité du produit
Poids (kg) :.012247
Traçabilité des produits