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UMX1NTN
Réseau de transistors bipolaires, Double, Double NPN, 50 V, 150 mA, 150 mW
Image non contractuelle – Proposée seulement à titre d'illustration. Veuillez vous reporter au descriptif technique.
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| Quantité | Prix (hors TVA) |
|---|---|
| 5+ | CHF 0.385 |
| 10+ | CHF 0.235 |
| 100+ | CHF 0.149 |
| 500+ | CHF 0.102 |
| 1000+ | CHF 0.0815 |
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Informations produit
FabricantROHM
Réf. FabricantUMX1NTN
Code Commande1680410
Fiche technique
Polarité transistorDouble NPN
Tension Collecteur Emetteur Max NPN50V
Tension Collecteur Emetteur Max PNP-
Courant de collecteur continu NPN150mA
Courant de collecteur continu PNP-
Dissipation de puissance NPN150mW
Dissipation de puissance PNP-
Gain de courant DC hFE Min NPN120hFE
Gain de courant DC hFE Min PNP-
Type de boîtier de transistorSOT-363
Nombre de broches6Broche(s)
Montage transistorMontage en surface
Température de fonctionnement max..150°C
Fréquence de transition NPN180MHz
Fréquence de transition PNP-
Gamme de produit-
Qualification-
MSLMSL 1 - Illimité
SVHCNo SVHC (23-Jan-2024)
Aperçu du produit
L'UMX1NTN est un transistor bipolaire d'amplification NPN à double usage général avec une structure en silicium NPN de type plan épitaxial. Le composant intègre deux transistors. Il est disponible en boîtier ultra compact, adapté pour diverses applications telles que les circuits d'amplification différentielle préamplificateurs, les oscillateurs haute fréquence et les circuits intégrés de commande.
- Transistor numérique complexe ultra compact
- Type de diviseur potentiel
- Petit boîtier pour montage en surface
- Les éléments de transistor sont indépendants, éliminant les interférences
Avertissements
La forte demande du marché pour ce produit, entraîné une augmentation des délais. Les dates de livraison peuvent varier. Produit exempt de remises.
Spécifications techniques
Polarité transistor
Double NPN
Tension Collecteur Emetteur Max PNP
-
Courant de collecteur continu PNP
-
Dissipation de puissance PNP
-
Gain de courant DC hFE Min PNP
-
Nombre de broches
6Broche(s)
Température de fonctionnement max..
150°C
Fréquence de transition PNP
-
Qualification
-
SVHC
No SVHC (23-Jan-2024)
Tension Collecteur Emetteur Max NPN
50V
Courant de collecteur continu NPN
150mA
Dissipation de puissance NPN
150mW
Gain de courant DC hFE Min NPN
120hFE
Type de boîtier de transistor
SOT-363
Montage transistor
Montage en surface
Fréquence de transition NPN
180MHz
Gamme de produit
-
MSL
MSL 1 - Illimité
Documents techniques (1)
Législation et Questions environnementales
Pays d'origine :
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :Japan
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :Japan
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
N° de tarif :85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (23-Jan-2024)
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Certificat de conformité du produit
Poids (kg) :.000136
Traçabilité des produits