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RX3R10BBHC16
MOSFET de puissance, Canal N, 150 V, 105 A, 8800 µohm, TO-220AB, Traversant
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Informations produit
FabricantROHM
Réf. FabricantRX3R10BBHC16
Code Commande4145334
Fiche technique
Type de canalCanal N
Tension Drain-Source Vds150V
Courant de drain Id105A
Résistance Drain-Source à l'état-ON8800µohm
Type de boîtier de transistorTO-220AB
Montage transistorTraversant
Tension de test Rds(on)10V
Tension de seuil Vgs Max4V
Dissipation de puissance181W
Nbre de broches3Broche(s)
Température d'utilisation Max.150°C
Gamme de produit-
Qualification-
SVHCTo Be Advised
Spécifications techniques
Type de canal
Canal N
Courant de drain Id
105A
Type de boîtier de transistor
TO-220AB
Tension de test Rds(on)
10V
Dissipation de puissance
181W
Température d'utilisation Max.
150°C
Qualification
-
Tension Drain-Source Vds
150V
Résistance Drain-Source à l'état-ON
8800µohm
Montage transistor
Traversant
Tension de seuil Vgs Max
4V
Nbre de broches
3Broche(s)
Gamme de produit
-
SVHC
To Be Advised
Documents techniques (1)
Législation et Questions environnementales
Pays d'origine :
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :China
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :China
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
N° de tarif :85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme RoHS :Y-Ex
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :To Be Advised
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Certificat de conformité du produit
Poids (kg) :.000001
Traçabilité des produits