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RUR040N02HZGTL
MOSFET de puissance, Canal N, 20 V, 4 A, 0.035 ohm, TSMT, Montage en surface
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| Quantité | Prix (hors TVA) |
|---|---|
| 1+ | CHF 0.824 |
| 10+ | CHF 0.611 |
| 100+ | CHF 0.418 |
| 500+ | CHF 0.309 |
| 1000+ | CHF 0.277 |
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Informations produit
FabricantROHM
Réf. FabricantRUR040N02HZGTL
Code Commande3261743
Fiche technique
Type de canalCanal N
Tension Drain-Source Vds20V
Courant de drain Id4A
Résistance Drain-Source à l'état-ON0.035ohm
Type de boîtier de transistorTSMT
Montage transistorMontage en surface
Tension de test Rds(on)4.5V
Tension de seuil Vgs Max1.3V
Dissipation de puissance1W
Nbre de broches3Broche(s)
Température d'utilisation Max.150°C
Gamme de produit-
QualificationAEC-Q101
Spécifications techniques
Type de canal
Canal N
Courant de drain Id
4A
Type de boîtier de transistor
TSMT
Tension de test Rds(on)
4.5V
Dissipation de puissance
1W
Température d'utilisation Max.
150°C
Qualification
AEC-Q101
Tension Drain-Source Vds
20V
Résistance Drain-Source à l'état-ON
0.035ohm
Montage transistor
Montage en surface
Tension de seuil Vgs Max
1.3V
Nbre de broches
3Broche(s)
Gamme de produit
-
SVHC
No SVHC (23-Jan-2024)
Documents techniques (1)
Produits de remplacement pour RUR040N02HZGTL
1 produit trouvé
Législation et Questions environnementales
Pays d'origine :
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :Thailand
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :Thailand
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
N° de tarif :85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (23-Jan-2024)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Poids (kg) :.034