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RTQ045N03HZGTR
MOSFET de puissance, Canal N, 30 V, 4.5 A, 0.03 ohm, TSMT, Montage en surface
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| Quantité | Prix (hors TVA) |
|---|---|
| 1+ | CHF 0.699 |
| 10+ | CHF 0.503 |
| 100+ | CHF 0.368 |
| 500+ | CHF 0.282 |
| 1000+ | CHF 0.251 |
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Informations produit
FabricantROHM
Réf. FabricantRTQ045N03HZGTR
Code Commande3261726
Fiche technique
Type de canalCanal N
Tension Drain-Source Vds30V
Courant de drain Id4.5A
Résistance Drain-Source à l'état-ON0.03ohm
Type de boîtier de transistorTSMT
Montage transistorMontage en surface
Tension de test Rds(on)4.5V
Tension de seuil Vgs Max1.5V
Dissipation de puissance1.25W
Nbre de broches6Broche(s)
Température d'utilisation Max.150°C
Gamme de produit-
QualificationAEC-Q101
SVHCNo SVHC (23-Jan-2024)
Spécifications techniques
Type de canal
Canal N
Courant de drain Id
4.5A
Type de boîtier de transistor
TSMT
Tension de test Rds(on)
4.5V
Dissipation de puissance
1.25W
Température d'utilisation Max.
150°C
Qualification
AEC-Q101
Tension Drain-Source Vds
30V
Résistance Drain-Source à l'état-ON
0.03ohm
Montage transistor
Montage en surface
Tension de seuil Vgs Max
1.5V
Nbre de broches
6Broche(s)
Gamme de produit
-
SVHC
No SVHC (23-Jan-2024)
Documents techniques (1)
Produits de remplacement pour RTQ045N03HZGTR
3 produit(s) trouvé(s)
Législation et Questions environnementales
Pays d'origine :
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :Thailand
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :Thailand
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
N° de tarif :85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (23-Jan-2024)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Poids (kg) :.000011