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RS1E240GNTB
MOSFET de puissance, Canal N, 30 V, 72 A, 0.0033 ohm, HSOP, Montage en surface
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| Quantité | Prix (hors TVA) |
|---|---|
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| 500+ | CHF 0.326 |
| 1000+ | CHF 0.297 |
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Informations produit
FabricantROHM
Réf. FabricantRS1E240GNTB
Code Commande2965343RL
Fiche technique
Type de canalCanal N
Polarité transistorCanal N
Tension Drain-Source Vds30V
Courant de drain Id72A
Résistance Rds(on)0.0026ohm
Résistance Drain-Source à l'état-ON0.0033ohm
Type de boîtier de transistorHSOP
Montage transistorMontage en surface
Tension de test Rds(on)10V
Tension de seuil Vgs Max2.5V
Dissipation de puissance27W
Dissipation de puissance Pd27W
Nbre de broches8Broche(s)
Température d'utilisation Max.150°C
Gamme de produit-
Qualification-
Normes Qualification Automobile-
Aperçu du produit
Avertissements
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Spécifications techniques
Type de canal
Canal N
Tension Drain-Source Vds
30V
Résistance Rds(on)
0.0026ohm
Type de boîtier de transistor
HSOP
Tension de test Rds(on)
10V
Dissipation de puissance
27W
Nbre de broches
8Broche(s)
Gamme de produit
-
Normes Qualification Automobile
-
SVHC
Lead (23-Jan-2024)
Polarité transistor
Canal N
Courant de drain Id
72A
Résistance Drain-Source à l'état-ON
0.0033ohm
Montage transistor
Montage en surface
Tension de seuil Vgs Max
2.5V
Dissipation de puissance Pd
27W
Température d'utilisation Max.
150°C
Qualification
-
MSL
MSL 1 - Illimité
Documents techniques (1)
Législation et Questions environnementales
Pays d'origine :
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :Thailand
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :Thailand
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
N° de tarif :85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :Lead (23-Jan-2024)
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Certificat de conformité du produit
Poids (kg) :.000026