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1000+ | CHF 0.200 |
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Informations produit
FabricantROHM
Réf. FabricantRQ6E030ATTCR
Code Commande2706767
Fiche technique
Type de canalCanal P
Tension Drain-Source Vds30V
Courant de drain Id3A
Résistance Drain-Source à l'état-ON0.07ohm
Type de boîtier de transistorTSMT
Montage transistorMontage en surface
Tension de test Rds(on)10V
Tension de seuil Vgs Max2.5V
Dissipation de puissance1.25W
Nbre de broches6Broche(s)
Température d'utilisation Max.150°C
Gamme de produit-
Qualification-
MSLMSL 1 - Illimité
SVHCNo SVHC (23-Jan-2024)
Spécifications techniques
Type de canal
Canal P
Courant de drain Id
3A
Type de boîtier de transistor
TSMT
Tension de test Rds(on)
10V
Dissipation de puissance
1.25W
Température d'utilisation Max.
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (23-Jan-2024)
Tension Drain-Source Vds
30V
Résistance Drain-Source à l'état-ON
0.07ohm
Montage transistor
Montage en surface
Tension de seuil Vgs Max
2.5V
Nbre de broches
6Broche(s)
Gamme de produit
-
MSL
MSL 1 - Illimité
Documents techniques (1)
Produits de remplacement pour RQ6E030ATTCR
3 produit(s) trouvé(s)
Législation et Questions environnementales
Pays d'origine :
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :Philippines
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :Philippines
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
N° de tarif :85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (23-Jan-2024)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Poids (kg) :.005577