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RF6L025BGTCR
MOSFET de puissance, Canal N, 60 V, 2.5 A, 0.091 ohm, SOT-363T, Montage en surface
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Informations produit
FabricantROHM
Réf. FabricantRF6L025BGTCR
Code Commande4308168
Fiche technique
Type de canalCanal N
Tension Drain-Source Vds60V
Courant de drain Id2.5A
Résistance Drain-Source à l'état-ON0.091ohm
Type de boîtier de transistorSOT-363T
Montage transistorMontage en surface
Tension de test Rds(on)10V
Tension de seuil Vgs Max2.5V
Dissipation de puissance1W
Nbre de broches6Broche(s)
Température d'utilisation Max.150°C
Gamme de produit-
Qualification-
SVHCTo Be Advised
Spécifications techniques
Type de canal
Canal N
Courant de drain Id
2.5A
Type de boîtier de transistor
SOT-363T
Tension de test Rds(on)
10V
Dissipation de puissance
1W
Température d'utilisation Max.
150°C
Qualification
-
Tension Drain-Source Vds
60V
Résistance Drain-Source à l'état-ON
0.091ohm
Montage transistor
Montage en surface
Tension de seuil Vgs Max
2.5V
Nbre de broches
6Broche(s)
Gamme de produit
-
SVHC
To Be Advised
Documents techniques (1)
Législation et Questions environnementales
Pays d'origine :
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :Thailand
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :Thailand
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
N° de tarif :85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :To Be Advised
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Certificat de conformité du produit
Poids (kg) :.000007