Imprimer la page
RD3P200SNFRATL
MOSFET de puissance, Canal N, 100 V, 20 A, 0.046 ohm, TO-252 (DPAK), Montage en surface
Image non contractuelle – Proposée seulement à titre d'illustration. Veuillez vous reporter au descriptif technique.
2’227 En Stock
Vous en voulez davantage ?
Livraison sous 1 à 2 jours ouvrables
Commandez avant 17h00 pour bénéficier de l’expédition standard
| Quantité | Prix (hors TVA) |
|---|---|
| 100+ | CHF 1.170 |
| 500+ | CHF 0.968 |
| 1000+ | CHF 0.959 |
Prix pour :Pièce (fournie en bande découpée)
Minimum: 100
Multiple: 1
CHF 122.00 (sans TVA)
Des frais de mise en bobine de CHF 5.00 seront appliqués pour ce produit
Ajouter Référence Interne / Note à la ligne
Ajouté à votre confirmation de commande, à votre facture et à votre note d’expédition pour cette commande uniquement.
Ce numéro sera ajouté à la confirmation de commande, à la facture, au bon d’expédition, à l’e-mail de confirmation Web et à l’étiquette.
Informations produit
FabricantROHM
Réf. FabricantRD3P200SNFRATL
Code Commande3406592RL
Fiche technique
Type de canalCanal N
Polarité transistorCanal N
Tension Drain-Source Vds100V
Courant de drain Id20A
Résistance Rds(on)0.033ohm
Résistance Drain-Source à l'état-ON0.046ohm
Type de boîtier de transistorTO-252 (DPAK)
Montage transistorMontage en surface
Tension de test Rds(on)10V
Tension de seuil Vgs Max2.5V
Dissipation de puissance Pd20W
Dissipation de puissance20W
Nbre de broches3Broche(s)
Température d'utilisation Max.150°C
Gamme de produit-
QualificationAEC-Q101
Normes Qualification AutomobileAEC-Q101
Aperçu du produit
Avertissements
La forte demande du marché pour ce produit, entraîné une augmentation des délais. Les dates de livraison peuvent varier. Produit exempt de remises.
Spécifications techniques
Type de canal
Canal N
Tension Drain-Source Vds
100V
Résistance Rds(on)
0.033ohm
Type de boîtier de transistor
TO-252 (DPAK)
Tension de test Rds(on)
10V
Dissipation de puissance Pd
20W
Nbre de broches
3Broche(s)
Gamme de produit
-
Normes Qualification Automobile
AEC-Q101
Polarité transistor
Canal N
Courant de drain Id
20A
Résistance Drain-Source à l'état-ON
0.046ohm
Montage transistor
Montage en surface
Tension de seuil Vgs Max
2.5V
Dissipation de puissance
20W
Température d'utilisation Max.
150°C
Qualification
AEC-Q101
SVHC
Lead (23-Jan-2024)
Documents techniques (1)
Législation et Questions environnementales
Pays d'origine :
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :Japan
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :Japan
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
N° de tarif :85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :Lead (23-Jan-2024)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Poids (kg) :.0001