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RAF040P01TCL
MOSFET de puissance, Canal P, 12 V, 4 A, 0.03 ohm, TUMT, Montage en surface
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| Quantité | Prix (hors TVA) |
|---|---|
| 1+ | CHF 0.702 |
| 10+ | CHF 0.447 |
| 100+ | CHF 0.297 |
| 500+ | CHF 0.226 |
| 1000+ | CHF 0.203 |
| 5000+ | CHF 0.175 |
Prix pour :Pièce (fournie en bande découpée)
Minimum: 1
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Informations produit
FabricantROHM
Réf. FabricantRAF040P01TCL
Code Commande2706609
Fiche technique
Type de canalCanal P
Tension Drain-Source Vds12V
Courant de drain Id4A
Résistance Drain-Source à l'état-ON0.03ohm
Type de boîtier de transistorTUMT
Montage transistorMontage en surface
Tension de test Rds(on)4.5V
Tension de seuil Vgs Max1V
Dissipation de puissance800mW
Nbre de broches3Broche(s)
Température d'utilisation Max.150°C
Gamme de produit-
Qualification-
SVHCNo SVHC (23-Jan-2024)
Spécifications techniques
Type de canal
Canal P
Courant de drain Id
4A
Type de boîtier de transistor
TUMT
Tension de test Rds(on)
4.5V
Dissipation de puissance
800mW
Température d'utilisation Max.
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (23-Jan-2024)
Tension Drain-Source Vds
12V
Résistance Drain-Source à l'état-ON
0.03ohm
Montage transistor
Montage en surface
Tension de seuil Vgs Max
1V
Nbre de broches
3Broche(s)
Gamme de produit
-
MSL
MSL 1 - Illimité
Documents techniques (1)
Législation et Questions environnementales
Pays d'origine :
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :Thailand
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :Thailand
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
N° de tarif :85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (23-Jan-2024)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Poids (kg) :.00003
Traçabilité des produits