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Informations produit
FabricantROHM
Réf. FabricantR6576KNZ4C13
Code Commande3605698
Gamme de produitR6xxxKNx
Fiche technique
Type de canalCanal N
Tension Drain-Source Vds650V
Courant de drain Id76A
Résistance Drain-Source à l'état-ON0.04ohm
Type de boîtier de transistorTO-247G
Montage transistorTraversant
Tension de test Rds(on)10V
Tension de seuil Vgs Max5V
Dissipation de puissance735W
Nbre de broches3Broche(s)
Température d'utilisation Max.150°C
Gamme de produitR6xxxKNx
Qualification-
MSLMSL 1 - Illimité
SVHCLead (23-Jan-2024)
Aperçu du produit
Avertissements
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Spécifications techniques
Type de canal
Canal N
Courant de drain Id
76A
Type de boîtier de transistor
TO-247G
Tension de test Rds(on)
10V
Dissipation de puissance
735W
Température d'utilisation Max.
150°C
Qualification
-
SVHC
Lead (23-Jan-2024)
Tension Drain-Source Vds
650V
Résistance Drain-Source à l'état-ON
0.04ohm
Montage transistor
Traversant
Tension de seuil Vgs Max
5V
Nbre de broches
3Broche(s)
Gamme de produit
R6xxxKNx
MSL
MSL 1 - Illimité
Documents techniques (1)
Législation et Questions environnementales
Pays d'origine :
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :Japan
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :Japan
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
N° de tarif :85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :Lead (23-Jan-2024)
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Certificat de conformité du produit
Poids (kg) :.00567