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R6050JNZC17
MOSFET de puissance, Canal N, 600 V, 50 A, 0.083 ohm, TO-3PF, Traversant
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| 5+ | CHF 5.910 |
| 10+ | CHF 5.590 |
| 50+ | CHF 5.270 |
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Informations produit
FabricantROHM
Réf. FabricantR6050JNZC17
Code Commande3580000
Fiche technique
Type de canalCanal N
Tension Drain-Source Vds600V
Courant de drain Id50A
Résistance Drain-Source à l'état-ON0.083ohm
Type de boîtier de transistorTO-3PF
Montage transistorTraversant
Tension de test Rds(on)15V
Tension de seuil Vgs Max6V
Dissipation de puissance120W
Nbre de broches3Broche(s)
Température d'utilisation Max.150°C
Gamme de produit-
Qualification-
MSL-
Spécifications techniques
Type de canal
Canal N
Courant de drain Id
50A
Type de boîtier de transistor
TO-3PF
Tension de test Rds(on)
15V
Dissipation de puissance
120W
Température d'utilisation Max.
150°C
Qualification
-
SVHC
Lead (23-Jan-2024)
Tension Drain-Source Vds
600V
Résistance Drain-Source à l'état-ON
0.083ohm
Montage transistor
Traversant
Tension de seuil Vgs Max
6V
Nbre de broches
3Broche(s)
Gamme de produit
-
MSL
-
Documents techniques (1)
Législation et Questions environnementales
Pays d'origine :
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :Thailand
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :Thailand
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
N° de tarif :85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :Lead (23-Jan-2024)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Poids (kg) :.0001