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GNP1070TC-ZE2
Transistor Nitrure de gallium (GaN), 650 V, 20 A, 0.07 ohm, 5.2 nC, DFN8080K, Montage en surface
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| Quantité | Prix (hors TVA) |
|---|---|
| 1+ | CHF 8.080 |
| 5+ | CHF 7.000 |
| 10+ | CHF 5.920 |
| 50+ | CHF 5.740 |
| 100+ | CHF 4.760 |
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Minimum: 1
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Informations produit
FabricantROHM
Réf. FabricantGNP1070TC-ZE2
Code Commande4172944
Fiche technique
Tension Drain-Source Vds650V
Courant de drain Id20A
Résistance Drain-Source à l'état-ON0.07ohm
Charge de porte Typique5.2nC
Type de boîtier de transistorDFN8080K
Montage transistorMontage en surface
Nbre de broches8Broche(s)
Gamme de produit-
Qualification-
SVHCTo Be Advised
Spécifications techniques
Tension Drain-Source Vds
650V
Résistance Drain-Source à l'état-ON
0.07ohm
Type de boîtier de transistor
DFN8080K
Nbre de broches
8Broche(s)
Qualification
-
Courant de drain Id
20A
Charge de porte Typique
5.2nC
Montage transistor
Montage en surface
Gamme de produit
-
SVHC
To Be Advised
Documents techniques (1)
Législation et Questions environnementales
Pays d'origine :
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :Taiwan
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :Taiwan
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
N° de tarif :85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme RoHS :Y-Ex
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :To Be Advised
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Certificat de conformité du produit
Poids (kg) :.000012