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                                                                          Rendez-vous sur element14 pour des informations sur les bancs d’essai Road Test ainsi que pour retrouver le Ben Heck show et des discussions
                                                                          hacksterio
                                                                          Hackster est une communauté conçue pour les passionnés de hardware.
                                                                          • Retour à Communautés
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                                                                                              2. Semiconducteurs - Composants discrets
                                                                                              3. MOSFET de puissance
                                                                                              4. Transistors MOSFET Silicon Carbide (SiC)
                                                                                              Imprimer la page

                                                                                              BSM400C12P3G202

                                                                                              MOSFET en carbure de silicium, Hacheur, Canal N, 400 A, 1.2 kV, Module

                                                                                              ROHM
                                                                                              Image non contractuelle – Proposée seulement à titre d'illustration. Veuillez vous reporter au descriptif technique.
                                                                                              ROHM BSM400C12P3G202
                                                                                              FabricantROHM
                                                                                              Réf. FabricantBSM400C12P3G202
                                                                                              Code Commande3573227
                                                                                              Fiche technique

                                                                                              Data Sheet

                                                                                              Découvrez tous les documents techniques
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                                                                                              Informations produit

                                                                                              ROHM
                                                                                              FabricantROHM
                                                                                              Réf. FabricantBSM400C12P3G202
                                                                                              Code Commande3573227
                                                                                              Fiche technique

                                                                                              Data Sheet

                                                                                              Configuration du module MOSFETHacheur
                                                                                              Type de canalCanal N
                                                                                              Courant de drain Id400A
                                                                                              Tension Drain-Source Vds1.2kV
                                                                                              Résistance Drain-Source à l'état-ON-
                                                                                              Type de boîtier de transistorModule
                                                                                              Nbre de broches-
                                                                                              Tension de test Rds(on)-
                                                                                              Tension de seuil Vgs Max5.6V
                                                                                              Dissipation de puissance1.57kW
                                                                                              Température d'utilisation Max.150°C
                                                                                              Gamme de produit-
                                                                                              SVHCLead (23-Jan-2024)

                                                                                              Aperçu du produit

                                                                                              BSM400C12P3G202 is a SiC power module. This product is a chopper module consisting of SiC-UMOSFET and SiC-SBD from ROHM. Application includes motor drive, converter, photovoltaics, wind power generation.

                                                                                              • Low surge, low switching loss, high-speed switching possible
                                                                                              • Reduced temperature dependence
                                                                                              • 1200V drain source voltage (Tj= 25°C), 1200V repetitive reverse voltage (Tj = 25°C)
                                                                                              • G - S voltage range from -4 to 26V (surge<lt/>300nsec, D-S short)
                                                                                              • Drain current is 358A (DC(Tc=60°C) VGS=18V, Tj= 25°C)
                                                                                              • Source current is 358A (DC(Tc=60°C) VGS=18V, Tj= 25°C)
                                                                                              • Forward current (clamp diode) is 400A (DC(Tc = 60°C)
                                                                                              • Total power dissipation is 150W (Tc = 25°C)
                                                                                              • Isolation voltage is 2500Vrms (terminals to baseplate f = 60Hz AC 1, min)
                                                                                              • Junction temperature range from -40 to 150°C

                                                                                              Spécifications techniques

                                                                                              Configuration du module MOSFET

                                                                                              Hacheur

                                                                                              Courant de drain Id

                                                                                              400A

                                                                                              Résistance Drain-Source à l'état-ON

                                                                                              -

                                                                                              Nbre de broches

                                                                                              -

                                                                                              Tension de seuil Vgs Max

                                                                                              5.6V

                                                                                              Température d'utilisation Max.

                                                                                              150°C

                                                                                              SVHC

                                                                                              Lead (23-Jan-2024)

                                                                                              Type de canal

                                                                                              Canal N

                                                                                              Tension Drain-Source Vds

                                                                                              1.2kV

                                                                                              Type de boîtier de transistor

                                                                                              Module

                                                                                              Tension de test Rds(on)

                                                                                              -

                                                                                              Dissipation de puissance

                                                                                              1.57kW

                                                                                              Gamme de produit

                                                                                              -

                                                                                              Documents techniques (2)

                                                                                              Technical Data Sheet EN

                                                                                              EOL Notices EN

                                                                                              Législation et Questions environnementales

                                                                                              Pays d'origine :
                                                                                              Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :
                                                                                              Japan
                                                                                              Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
                                                                                              N° de tarif :85412900
                                                                                              US ECCN:EAR99
                                                                                              EU ECCN:NLR
                                                                                              Conforme RoHS :Oui

                                                                                              RoHS

                                                                                              Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui

                                                                                              RoHS

                                                                                              SVHC :Lead (23-Jan-2024)
                                                                                              Télécharger le certificat de conformité du produit

                                                                                              Certificat de conformité du produit

                                                                                              Poids (kg) :.28
                                                                                              Service client
                                                                                              Commerciale 044 204 64 86
                                                                                              Agent live
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