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2SAR642PHZGT100
Transistor, Bipolaire, PNP, 30 V, 3A, SOT-89, AEC-Q101, 200 hFE
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Informations produit
FabricantROHM
Réf. Fabricant2SAR642PHZGT100
Code Commande3605673RL
Fiche technique
Polarité transistorPNP
Tension Collecteur Emetteur Max30V
Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo30V
Courant de collecteur DC3A
Courant Collecteur Continu3A
Dissipation de puissance2W
Dissipation de puissance Pd2W
Type de boîtier de transistorSOT-89
Montage transistorMontage en surface
Nbre de broches3Broche(s)
Fréquence de transition240MHz
Gain de courant DC hFE Min.200hFE
Gain en courant DC hFE200hFE
Température d'utilisation Max.150°C
Gamme de produit-
QualificationAEC-Q101
Normes Qualification AutomobileAEC-Q101
SVHCLead (23-Jan-2024)
Spécifications techniques
Polarité transistor
PNP
Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo
30V
Courant Collecteur Continu
3A
Dissipation de puissance Pd
2W
Montage transistor
Montage en surface
Fréquence de transition
240MHz
Gain en courant DC hFE
200hFE
Gamme de produit
-
Normes Qualification Automobile
AEC-Q101
SVHC
Lead (23-Jan-2024)
Tension Collecteur Emetteur Max
30V
Courant de collecteur DC
3A
Dissipation de puissance
2W
Type de boîtier de transistor
SOT-89
Nbre de broches
3Broche(s)
Gain de courant DC hFE Min.
200hFE
Température d'utilisation Max.
150°C
Qualification
AEC-Q101
MSL
MSL 1 - Illimité
Documents techniques (1)
Législation et Questions environnementales
Pays d'origine :
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :Japan
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :Japan
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
N° de tarif :85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :Lead (23-Jan-2024)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Poids (kg) :.000454