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2SK1835-E
MOSFET de puissance, Canal N, 1.5 kV, 4 A, 7 ohm, TO-3P, Traversant
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| 5+ | CHF 15.930 |
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| 50+ | CHF 15.810 |
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| 250+ | CHF 15.210 |
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Informations produit
FabricantRENESAS
Réf. Fabricant2SK1835-E
Code Commande3869753
Fiche technique
Type de canalCanal N
Tension Drain-Source Vds1.5kV
Courant de drain Id4A
Résistance Drain-Source à l'état-ON7ohm
Type de boîtier de transistorTO-3P
Montage transistorTraversant
Tension de test Rds(on)15V
Tension de seuil Vgs Max-
Dissipation de puissance125W
Nbre de broches3Broche(s)
Température d'utilisation Max.150°C
Gamme de produit-
Qualification-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Spécifications techniques
Type de canal
Canal N
Courant de drain Id
4A
Type de boîtier de transistor
TO-3P
Tension de test Rds(on)
15V
Dissipation de puissance
125W
Température d'utilisation Max.
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Tension Drain-Source Vds
1.5kV
Résistance Drain-Source à l'état-ON
7ohm
Montage transistor
Traversant
Tension de seuil Vgs Max
-
Nbre de broches
3Broche(s)
Gamme de produit
-
MSL
MSL 3 - 168 heures
Documents techniques (3)
Législation et Questions environnementales
Pays d'origine :
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :Malaysia
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :Malaysia
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
N° de tarif :85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (21-Jan-2025)
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Certificat de conformité du produit
Poids (kg) :.000001