AQY212EH

L'AQY212EH est un relais PhotoMos type GE, 1 Form A, DIP 4 broches avec une isolation élevée. Il est équipé d'une isolation renforcée de 5 000Vrms dans un boîtier DIP, 4 broches. Ce relais PhotoMOS convient au contrôle de signaux analogiques de bas niveau tout en maintenant une faible résistance à l'état passant et un faible courant de fuite à l'état bloqué de 1uA maximum. Outre son faible encombrement, notamment par rapport aux relais mécaniques, ce composant contribue à la réduction de l'espace sur la carte PCB. Il contrôle les signaux analogiques de bas niveau et présente une sensibilité élevée et une faible résistance à l'état passant Les applications typiques sont les modems, les équipements téléphoniques, l'électricité, les équipements d'usine, les équipements de sécurité et les équipements de détection. Les normes sont UL (E191218), VDE (Nr.40051981).

• Tension d'isolement E/S élevée de 5 000V, double usage AC/DC
• Contrôle les signaux analogiques de bas niveau, haute sensibilité et faible résistance à l'état passant
• Courant de fuite à l'état bloqué, faible niveau de 1μA max. borne traversante
• Courant de charge de sortie nominal de 550mA, tension de charge sortie nominale de 60V
• Courant d'utilisation de la LED d'entrée 1,2mA typ. (25°C), chute de tension LED typ. 1,25V (1,14V à IF = 5mA, 25°C)
• Dissipation de puissance de sortie 500mW (25°C)
• Temps d'activation de 1ms typ. (IF = 5mA, 25°C), temps de désactivation typique de 0,05ms (IF = 5mA, 25°C)
• Capacité d'E/S 0,8pF typ. (f = 1MHz, VB = 0V, 25°C)
• Résistance d'isolement E/S initiale minimale de 1 000Mohm (500VDC, 25°C)
• Température d'utilisation de -40°C à +85°C