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AQW212A
Relais MOSFET, 60 V, 500 mA, 2.5 ohm, DPST-NO
Image non contractuelle – Proposée seulement à titre d'illustration. Veuillez vous reporter au descriptif technique.
FabricantPANASONIC
Réf. FabricantAQW212A
Code Commande1524376
Gamme de produitPhotoMOS AQW
Fiche technique
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| Quantité | Prix (hors TVA) |
|---|---|
| 1+ | CHF 7.310 |
| 5+ | CHF 6.400 |
| 10+ | CHF 5.300 |
| 20+ | CHF 4.760 |
| 50+ | CHF 4.390 |
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Informations produit
FabricantPANASONIC
Réf. FabricantAQW212A
Code Commande1524376
Gamme de produitPhotoMOS AQW
Fiche technique
Forme de contactDPST-NO (2 Forme A)
Configuration des contactsDPST-NO
Type de chargeAC / DC
Tension de charge Max.60V
Courant, charge500mA
Style de boîtier de relais MOSFETDIP-8
Montage relaisMontage en surface
Courant, direct, If900µA
Bornes de relaisGull Wing
Résistance On State Max.2.5ohm
Tension, isolation1.5kV
Type de capacité d'E/S0.8pF
Courant de fuite à l'état d'arrêt max.1µA
Gamme de produitPhotoMOS AQW
SVHCNo SVHC (23-Jan-2024)
Aperçu du produit
The AQW212A is a Solid State Relay with DPST-NO contacts and surface-mount terminals. This AQW-series PhotoMOS GU relay feature extremely low closed-circuit offset voltage to enable control of low-level analogue signals without distortion. Applicable for 2-form-A use as well as two independent 1-form-A use. Eliminates the need for a counter electromotive force protection diode in the drive circuits on the input side. Eliminates the need for a power supply to drive the power MOSFET.
- Controls low-level analogue signals
- High sensitivity, high speed response
- Low-level off state leakage current
- Low-level thermal electromotive force
- 850mW Power dissipation
- 2ms Turn-on and 0.2ms turn-off maximum time
- -40 to 85°C Operating temperature range
Spécifications techniques
Forme de contact
DPST-NO (2 Forme A)
Type de charge
AC / DC
Courant, charge
500mA
Montage relais
Montage en surface
Bornes de relais
Gull Wing
Tension, isolation
1.5kV
Courant de fuite à l'état d'arrêt max.
1µA
SVHC
No SVHC (23-Jan-2024)
Configuration des contacts
DPST-NO
Tension de charge Max.
60V
Style de boîtier de relais MOSFET
DIP-8
Courant, direct, If
900µA
Résistance On State Max.
2.5ohm
Type de capacité d'E/S
0.8pF
Gamme de produit
PhotoMOS AQW
Documents techniques (2)
Produits de remplacement pour AQW212A
2 produit(s) trouvé(s)
Législation et Questions environnementales
Pays d'origine :
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :Japan
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :Japan
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
N° de tarif :85364110
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (23-Jan-2024)
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Certificat de conformité du produit
Poids (kg) :.001043