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AQV259
Relais MOSFET, SPST-NO (1 Forme A), AC / DC, 1 kV, 30 mA, DIP-6, Traversant
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FabricantPANASONIC
Réf. FabricantAQV259
Code Commande3588650
Gamme de produitPhotoMOS AQV25
Fiche technique
33 En Stock
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| Quantité | Prix (hors TVA) |
|---|---|
| 1+ | CHF 5.260 |
| 5+ | CHF 5.220 |
| 10+ | CHF 5.170 |
| 20+ | CHF 5.130 |
| 50+ | CHF 5.090 |
Prix pour :Pièce
Minimum: 1
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Informations produit
FabricantPANASONIC
Réf. FabricantAQV259
Code Commande3588650
Gamme de produitPhotoMOS AQV25
Fiche technique
Configuration des contactsSPST-NO
Forme de contactSPST-NO (1 Forme A)
Type de chargeAC / DC
Tension de charge Max.1kV
Courant, charge30mA
Style de boîtier de relais MOSFETDIP-6
Montage relaisTraversant
Bornes de relaisBroche PC
Courant, direct, If50mA
Résistance On State Max.200ohm
Tension, isolation1.5kV
Type de capacité d'E/S1.3pF
Courant de fuite à l'état d'arrêt max.10µA
Gamme de produitPhotoMOS AQV25
SVHCTo Be Advised
Spécifications techniques
Configuration des contacts
SPST-NO
Type de charge
AC / DC
Courant, charge
30mA
Montage relais
Traversant
Courant, direct, If
50mA
Tension, isolation
1.5kV
Courant de fuite à l'état d'arrêt max.
10µA
SVHC
To Be Advised
Forme de contact
SPST-NO (1 Forme A)
Tension de charge Max.
1kV
Style de boîtier de relais MOSFET
DIP-6
Bornes de relais
Broche PC
Résistance On State Max.
200ohm
Type de capacité d'E/S
1.3pF
Gamme de produit
PhotoMOS AQV25
Documents techniques (2)
Législation et Questions environnementales
Pays d'origine :
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :Japan
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :Japan
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
N° de tarif :85364190
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :To Be Advised
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Certificat de conformité du produit
Poids (kg) :.000907