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AQV257A
Relais MOSFET, SPST-NO (1 Forme A), AC / DC, 200 V, 250 mA, DIP-6, Montage en surface
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FabricantPANASONIC
Réf. FabricantAQV257A
Code Commande3270171
Gamme de produitPhotoMOS AQV25
Fiche technique
16 En Stock
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| Quantité | Prix (hors TVA) |
|---|---|
| 1+ | CHF 4.640 |
| 5+ | CHF 4.560 |
| 10+ | CHF 4.470 |
| 20+ | CHF 4.380 |
| 50+ | CHF 4.290 |
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Informations produit
FabricantPANASONIC
Réf. FabricantAQV257A
Code Commande3270171
Gamme de produitPhotoMOS AQV25
Fiche technique
Forme de contactSPST-NO (1 Forme A)
Type de chargeAC / DC
Tension de charge Max.200V
Courant, charge250mA
Style de boîtier de relais MOSFETDIP-6
Montage relaisMontage en surface
Bornes de relaisGull Wing
Résistance On State Max.4ohm
Tension, isolation1.5kV
Type de capacité d'E/S1.3pF
Courant de fuite à l'état d'arrêt max.1µA
Gamme de produitPhotoMOS AQV25
SVHCTo Be Advised
Spécifications techniques
Forme de contact
SPST-NO (1 Forme A)
Tension de charge Max.
200V
Style de boîtier de relais MOSFET
DIP-6
Bornes de relais
Gull Wing
Tension, isolation
1.5kV
Courant de fuite à l'état d'arrêt max.
1µA
SVHC
To Be Advised
Type de charge
AC / DC
Courant, charge
250mA
Montage relais
Montage en surface
Résistance On State Max.
4ohm
Type de capacité d'E/S
1.3pF
Gamme de produit
PhotoMOS AQV25
Documents techniques (2)
Législation et Questions environnementales
Pays d'origine :
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :Japan
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :Japan
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
N° de tarif :85364190
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :To Be Advised
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Certificat de conformité du produit
Poids (kg) :.000895