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| Quantité | Prix (hors TVA) |
|---|---|
| 1+ | CHF 11.990 |
| 10+ | CHF 10.490 |
| 25+ | CHF 8.980 |
| 50+ | CHF 7.750 |
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Informations produit
FabricantONSEMI
Réf. FabricantNVH4L060N065SC1.
Code Commande4070491
Fiche technique
Configuration du module MOSFETSingle
Type de canalN Channel
Courant de drain Id47A
Tension Drain-Source Vds650V
Résistance Drain-Source à l'état-ON70mohm
Type de boîtier de transistorTO-247
Nbre de broches4Broche(s)
Tension de test Rds(on)18V
Tension de seuil Vgs Max4.3V
Dissipation de puissance176W
Température d'utilisation Max.175°C
Gamme de produit-
Spécifications techniques
Configuration du module MOSFET
Single
Courant de drain Id
47A
Résistance Drain-Source à l'état-ON
70mohm
Nbre de broches
4Broche(s)
Tension de seuil Vgs Max
4.3V
Température d'utilisation Max.
175°C
Type de canal
N Channel
Tension Drain-Source Vds
650V
Type de boîtier de transistor
TO-247
Tension de test Rds(on)
18V
Dissipation de puissance
176W
Gamme de produit
-
Documents techniques (1)
Produits de remplacement pour NVH4L060N065SC1.
1 produit trouvé
Législation et Questions environnementales
Pays d'origine :
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :China
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :China
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
N° de tarif :85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
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Certificat de conformité du produit
Poids (kg) :.009072
Traçabilité des produits